[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置

说明书

具备对接触部件的拉伸载荷增大的连接端子。在半导体装置的制造方法中，准备具备圆筒状的贯通孔(17b)的接触部件(17)以及呈柱状且相对于长度方向的截面为多边形且截面的对角长度比贯通孔(17b)的内径长的连接端子(19)。然后，在连接端子(19)的角部分别形成具有与贯通孔(17b)的内表面对应的曲率的倒角部(19a2)，向接触部件(17)的贯通孔(17b)压入连接端子(19)。由此，压入到接触部件(17)的连接端子(19)与接触部件(17)的贯通孔(17b)的内周面的接触面积增加。由此，连接端子(19)对接触部件(17)的拉伸载荷增加。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。

背景技术

半导体装置包括例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体元件。这样的半导体装置例如用作电力变换装置。

半导体装置具备具有绝缘板和形成于绝缘板的正面的多个电路图案的基板。另外，在电路图案上配置有半导体元件和连接端子，从连接端子施加的信号经由电路图案被输入到半导体元件。在将该连接端子安装到电路图案时，使用筒状的接触部件。连接端子构成为其直径比接触部件的直径大。这样的连接端子被压入到介由焊料接合到电路图案上的接触部件，经由接触部件而电连接到电路图案(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2009/0194884号说明书

发明内容

技术问题

在上述半导体装置中，如果对接触部件压入例如棱柱状的连接端子，则连接端子在连接端子的角部与接触部件的内周面接触的状态下保持在接触部件内。即，由于连接端子与接触部件内接触的部分仅限于角部，所以容易从接触部件拔出。因此，考虑到增大连接端子的直径而使相对于接触部件的压入尺寸增大。但是，此时，被压入连接端子的接触部件破损的可能性变高，另外，因为连接端子的尺寸增加而引起成本增加。

本发明是鉴于这种情况而完成的，目的在于提供具备对接触部件的拉伸载荷增大的连接端子的半导体装置的制造方法和半导体装置。

技术方案

根据本发明的一观点，提供一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，准备具备圆筒状的贯通孔的接触部件、以及呈柱状且相对于长度方向的截面为多边形且上述截面的对角长度比上述贯通孔的内径长的连接端子；倒角工序，在上述连接端子的角部分别形成具有与上述贯通孔的内表面对应的曲率的倒角部；以及压入工序，向上述接触部件的上述贯通孔压入上述连接端子。

另外，提供通过这种制造方法制造的半导体装置。

发明效果

根据公开的技术，能够使连接端子对接触部件的拉伸载荷增大而抑制半导体装置的可靠性降低。

本发明的上述和其他目的、特征和优点通过表示作为本发明的例子的优选实施方式的附图和关联的以下的说明会变得清楚。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的一个例子的图。

图2是实施方式的半导体装置的制造方法的流程图的一个例子。

图3是表示实施方式的半导体装置所含有的陶瓷电路基板的图。

图4是表示实施方式的半导体装置所含有的接触部件的图。

图5是表示实施方式的半导体装置所含有的连接端子的图。