[发明专利]半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体密封成形用临时保护膜，

其为在形成对搭载于引线框的半导体元件进行密封的密封层的密封成形的期间、用于对所述引线框进行临时保护的半导体密封成形用临时保护膜，

其具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上且含有树脂的粘接层，

在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在具有芯片焊盘及内引线的所述引线框上时，所述粘接层与所述引线框之间的90度剥离强度在25℃下为5N/m以上，

在按照所述粘接层与所述引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在所述引线框上，在所述芯片焊盘的与所述临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件，接着对所述半导体元件、所述引线框及所述临时保护膜进行加热，然后形成在与所述粘接层接触的同时将所述半导体元件密封的密封层时，所述粘接层与所述引线框及所述密封层之间的90度剥离强度在180℃下为600N/m以下。

2.根据权利要求1所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，

所述粘接层进一步含有硅烷偶联剂，

所述硅烷偶联剂的含量相对于所述树脂的总量超过5质量％且为35质量％以下。

3.一种半导体密封成形用临时保护膜，其为在形成对搭载于引线框的半导体元件进行密封的密封层的密封成形的期间、用于对所述引线框进行临时保护的半导体密封成形用临时保护膜，

其具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层，

所述硅烷偶联剂的含量相对于所述树脂的总量超过5质量％且为35质量％以下。

4.根据权利要求2或3所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述硅烷偶联剂由下述式(I)表示：

式中，R¹、R²及R³各自独立地表示碳数为1～3的烷氧基、碳数为1～6的烷基或碳数为6～12的芳基，X由下述式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)或(IIe)表示：

这些化学式中，R⁴、R⁵及R⁶各自独立地表示碳数为1～6的烷基、碳数为6～12的芳基或氢原子，*表示与碳原子的键合部位。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的玻璃化转变温度为100～300℃。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述树脂是具有酰胺基、酯基、酰亚胺基、醚基或磺基的热塑性树脂。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的200℃下的弹性模量为1MPa以上。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的厚度与所述支撑膜的厚度之比为0.5以下。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述粘接层的厚度为1～20μm。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述支撑膜是选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚砜、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二醇酯中的聚合物的膜。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述支撑膜的玻璃化转变温度为200℃以上。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述支撑膜的厚度为5～100μm。