[发明专利]半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法

说明书

本发明公开一种半导体密封成形用临时保护膜，其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层。半导体密封成形用临时保护膜中，硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量可以超过5质量％且为35质量％以下。

技术领域

本发明涉及半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法。

背景技术

一直以来使用如下结构的半导体封装体：利用银糊料等粘接剂将半导体元件粘接在芯片焊盘上，利用导线将其与引线框接合之后，残留外部连接用的外部引线而将整体密封。但是，随着近年的半导体封装体的高密度化、小面积化、薄型化等要求的提高，提出了各种结构的半导体封装体。其中，例如有LOC(lead on chip，芯片上引线)、COL(chip onlead，引线上芯片)结构等，但在小面积化、薄型化的方面是有限的。

为了解决这些技术问题，开发出了将仅对封装体的单面(半导体元件一侧)进行密封而背面裸露出的引线框用于外部连接用的结构的封装体(专利文献1及2)。由于该结构的封装体的引线框不从密封树脂突出，因此可谋求小面积化及薄型化。作为制造该封装体结构的半导体装置的方法之一，有由以下所示工序组成的制造方法。

(1)在具有芯片焊盘及内引线的引线框的单面(背面)上粘贴半导体密封成形用临时保护膜的工序；

(2)在芯片焊盘的与临时保护膜相反一侧的面上搭载(粘接)半导体元件的工序；

(3)设置将半导体元件与内引线连接的导线的工序；

(4)形成对半导体元件及导线进行密封的密封层，获得具有引线框、半导体元件及密封层的密封成形体的工序；

(5)将临时保护膜从密封成形体上剥离的工序。

在利用该方法制造半导体封装体时，有时在密封成形时会发生密封树脂绕到引线框背面等不良情况。作为防止这种不良情况的方法，已知有下述方法：将临时保护膜作为半导体用粘接膜粘贴在引线框背面，对引线框背面进行保护，在对搭载于引线框表面侧的半导体元件进行密封成形之后，将临时保护膜剥去。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-129473号公报

专利文献2：日本特开平10-12773号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

目前，对于半导体封装体，装配工艺条件的高温化(Cu引线接合、回流连接(CuClip连接等))正在发展。与此相伴，在将临时保护膜从密封成形体上剥离的工序中，有时临时保护膜与引线框及密封层牢固地粘接，临时保护膜断裂而无法进行剥离。

因此，本发明的目的在于提供一种半导体密封成形用临时保护膜，其能够在不发生断裂的情况下容易地从引线框及密封层上剥离。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个方面涉及一种半导体密封成形用临时保护膜，其为在形成对搭载于引线框的半导体元件进行密封的密封层的密封成形的期间、用于对引线框进行临时保护的半导体密封成形用临时保护膜，其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂的粘接层。在按照粘接层与引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在具有芯片焊盘及内引线的引线框上时，粘接层与引线框之间的90度剥离强度可以是在25℃下为5N/m以上。在按照粘接层与引线框接触的方式将所述临时保护膜粘贴在引线框上，在芯片焊盘的与临时保护膜相反一侧的面上搭载半导体元件，接着对半导体元件、引线框及所述临时保护膜进行加热，然后形成在与粘接层接触的同时将半导体元件密封的密封层时，粘接层与引线框及密封层之间的90度剥离强度可以是在180℃下为600N/m以下。