[发明专利]用于分离逻辑和存储器阵列的制造工艺

权利要求书

1.一种集成存储器模块，包括：

第一半导体管芯，包括第一组接合焊盘和第二组接合焊盘；

第二半导体，包括第三组接合焊盘，所述第三组接合焊盘倒装芯片接合所述第一半导体管芯的所述第一组接合焊盘以将所述第二半导体管芯电耦合且实体耦合到所述第一半导体管芯；

其中第一所耦合半导体管芯和第二所耦合半导体管芯一起配置为集成快闪存储器。

2.根据权利要求1所述的集成存储器模块，其中所述第一半导体管芯包括多个存储器单元。

3.根据权利要求2所述的集成存储器模块，其中所述第二半导体管芯包括用于控制对所述多个存储器单元的存取的控制电路。

4.根据权利要求3所述的集成存储器模块，其中所述控制电路包括互补金属氧化物半导体集成电路。

5.根据权利要求1所述的集成存储器模块，其中所述第一半导体管芯上的所述第二组接合焊盘配置成接纳用于使所述集成存储器模块电连接到主机装置的电连接器。

6.根据权利要求1所述的集成存储器模块，其中所述第一半导体管芯上的所述第二组接合焊盘配置成接纳用于使所述集成存储器模块电连接到主机装置的引线接合件。

7.一种集成存储器模块，包括：

第一半导体管芯，包括：

多个存储器单元，

第一组接合焊盘，电耦合到所述多个存储器单元，以及

第二组接合焊盘；

第二半导体，包括：

控制电路，用于控制对所述第一半导体管芯上的所述多个存储器单元的存取，以及

第三组接合焊盘，倒装芯片接合所述第一半导体管芯的所述第一组接合焊盘以将所述第二半导体管芯电耦合且实体耦合到所述第一半导体管芯；

其中第一所耦合半导体管芯和第二所耦合半导体管芯一起配置为集成快闪存储器。

8.根据权利要求7所述的集成存储器模块，其中耦合到所述第一组中的所述接合焊盘的所述第三组中的接合焊盘的数目包括100与1,000之间。

9.根据权利要求7所述的集成存储器模块，其中耦合到所述第一组中的所述接合焊盘的所述第三组中的接合焊盘的所述数目包括10,000与100,000之间。

10.根据权利要求7所述的集成存储器模块，其中所述控制电路包括互补金属氧化物半导体集成电路。

11.根据权利要求7所述的集成存储器模块，其中所述第一半导体管芯上的所述第二组接合焊盘配置成接纳用于使所述集成存储器模块电连接到主机装置的电连接器。

12.根据权利要求1所述的集成存储器模块，其中所述第一半导体管芯上的所述第二组接合焊盘配置成接纳用于使所述集成存储器模块电连接到主机装置的引线接合件。

13.一种制造半导体装置的方法，包括：

(a)在第一半导体管芯上形成第一多个接合焊盘；

(b)在第二半导体管芯上形成第二多个接合焊盘；以及

(c)将所述第一多个接合焊盘中的至少一些安装到所述第二多个接合焊盘，所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯一起配置为集成快闪存储器。

14.根据权利要求13所述的方法，其中将所述第一多个接合焊盘中的至少一些安装到所述第二多个接合焊盘的所述步骤(c)包括在已从晶片切割所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之后将所述第一多个接合焊盘中的至少一些安装到所述第二多个接合焊盘。

15.一种集成存储器模块，包括：

第一半导体管芯，包括用于电连接所述第一半导体管芯的第一接合焊盘构件，以及用于电连接所述第一半导体管芯的第二接合焊盘构件；

第二半导体，包括用于倒装芯片接合到所述第一接合焊盘构件的第三接合焊盘构件；

其中第一所耦合半导体管芯和第二所耦合半导体管芯一起配置为集成快闪存储器。