[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980006085.5 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN111418049A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 矶崎诚;高桥圣一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一导电部，其具有第一导通区、以及经由第一连通部与所述第一导通区连通的第一布线区；
第二导电部，其具有第二导通区、以及经由第二连通部与所述第二导通区连通并且与所述第一布线区以分离预定间隔的方式对置的第二布线区；以及
布线部件，其将所述第一布线区与所述第二布线区电连接，
在从所述布线部件的布线方向观察时，所述第一连通部与所述第二连通部分离。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一导电部的所述第一布线区比所述第一导通区宽，
所述第二导电部的所述第二布线区比所述第二导通区宽。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第一导电部，所述第一布线区相对于所述第一导通区垂直地延伸，
在所述第二导电部，所述第二布线区相对于所述第二导通区垂直地延伸，
所述第一导通区与所述第二导通区隔着所述第一布线区和所述第二布线区而分别向相反侧延伸。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第一导电部，所述第一布线区比所述第一导通区宽，
在所述第二导电部，所述第二连通部在其侧部的、至少在从所述布线部件的布线方向观察时所述第一连通部与所述第二导通区重叠的部分形成有切口部。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第一导电部，所述第一布线区相对于所述第一导通区垂直地延伸，
在所述第二导电部，所述切口部从所述第一布线区的延伸方向的相反侧的侧部起，在从所述布线部件的布线方向观察时形成为所述第一连通部的宽度以上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一连通部的宽度与所述第二连通部的宽度相等。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述布线部件是多条导线、引线框架或带体。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第一导通区和所述第二导通区中的至少一者配置有半导体元件。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第一导通区和所述第二导通区中的至少一者电连接有外部连接端子。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置形成有将所述第一导通区和所述第二导通区中的至少一者的表面上的至少两点之间电连接的其他的布线部件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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