[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种能够抑制内部的异常过热的发生的半导体装置。所述半导体装置具有电路图案(13a、15a)，该电路图案具有导通区(13a1、15a1)、以及经由连通部(13a2、15a2)与导通区(13a1、15a1)连通的布线区(13a3、15a3)。另外，具有电路图案(13b、14b)，该电路图案具有导通区(13b1、14b1)、以及经由连通部(13b2、14b2)与导通区(13b1、14b1)连通并且与布线区(13a3、15a3)分离预定间隔地相对的布线区(13b3、14b3)。而且，具备将布线区(13a3、15a3)与布线区(13b3、14b3)电连接的导线。此时，在从导线的布线方向(W1、W2)观察时，连通部(13a2、15a2)与连通部(13b2、14b2)分离。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术

半导体装置包括例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应管)等半导体元件。这样的半导体装置例如用作功率转换装置。半导体装置使用多个IGBT芯片与FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)芯片，并利用布线部件任意地连接。由此，半导体装置能够实现逆变器等所需的功能。如此，在半导体装置中谋求大容量化。例如，谋求能够处理大电流的半导体模块构造(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-78620号公报

发明内容

技术问题

然而，若作为大容量化而使额定电流增加，则有时导致利用以往的额定电流没有问题的布线部件中发生异常过热。例如，导致在连接陶瓷电路基板的电路图案之间的导线上发生异常过热。若在半导体装置的内部发生异常过热，则有可能因该过热而导致半导体装置故障。这导致半导体装置的可靠性的降低。

本发明是鉴于这点而做出的，其目的在于，提供一种能够抑制内部的异常过热的发生的半导体装置。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：第一导电部，其具有第一导通区、经由第一连通部与所述第一导通区连通的第一布线区；第二导电部，其具有第二导通区、以及经由第二连通部与所述第二导通区连通并且与所述第一布线区分离预定间隔地相对的第二布线区；以及布线部件，其将所述第一布线区与所述第二布线区的电连接，在从所述布线部件的布线方向观察时，所述第一连通部与所述第二连通部分离。

技术效果

根据公开的技术，能够抑制内部的异常过热的发生，而防止可靠性的降低。

本发明的上述及其他目的、特征以及优点通过与表示作为本发明的例子而优选的实施方式的附图相关联的以下的说明而变得显而易见。

附图说明

图1是实施方式的半导体装置的一例的俯视图。

图2是实施方式的半导体装置的一例的截面图。

图3是实施方式的陶瓷电路基板的一例的俯视图。

图4是参考例的陶瓷电路基板的试样的俯视图。

图5是示出参考例的陶瓷电路基板的试样的主要部分的表面的上升温度分布的图。

图6是实施方式的陶瓷电路基板的试样的俯视图。

图7是示出实施方式的陶瓷电路基板的试样的主要部件的表面的上升温度分布的图。