[发明专利]静电卡盘装置及静电卡盘装置的制造方法在审
申请号: | 201980006442.8 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN111480222A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 尾崎雅树;森下德人 | 申请(专利权)人: | 住友大阪水泥股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 陈亦欧;毛立群 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 装置 制造 方法 | ||
1.一种静电卡盘装置,其具备:
静电卡盘部,具备具有载置板状试样的载置面的基材及将所述板状试样静电吸附于所述载置面的静电吸附用内部电极;
冷却用基部,冷却所述静电卡盘部;及
粘接剂层,介于所述静电卡盘部与所述冷却用基部之间,
所述基材的所述搭载面具有凹面或凸面,并且所述凹面或凸面不包括拐点,所述凹面或凸面为从所述载置面的中心朝向所述载置面的外周逐渐弯曲的曲面状,
关于所述基材的厚度方向上的截面形状,以所述冷却用基部的一主表面的位置为基准的所述凹面或所述凸面的中心的高度与以所述冷却用基部的一主表面的位置为基准的所述凹面或所述凸面的外周的高度之差的绝对值为1μm以上且30μm以下。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述载置面的表面粗糙度小于40nm。
3.一种静电卡盘装置的制造方法,其包括:
粘接工序,经由粘接剂粘接具备具有载置板状试样的载置面的基材及将所述板状试样静电吸附于所述载置面的静电吸附用内部电极的静电卡盘部和冷却所述静电卡盘部的冷却用基部;及
加工工序,将与所述冷却用基部粘接的所述静电卡盘部的所述基材的所述载置面加工成具有凹面或凸面,并且不包括拐点,所述凹面或凸面为从所述载置面的中心朝向所述载置面的外周逐渐弯曲的曲面状。
4.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述载置面为所述凹面。
5.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述载置面为所述凸面。
6.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述凹面或凸面在俯视下具有与所述搭载面相同的面积,
具有载置面的基材的与载置面相对的另一表面是平坦的。
7.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
包括所述拐点表示,
进行所述载置面的表面轮廓的测定,并在所述载置面的中心处的测定点及不同半径的多个同心圆上的穿过所述中心的直线上的多个测定点处进行高度的测定,
根据所得的多个高度值分别获得相邻的同心圆上的相邻的测定点的高度差,
在确认多个差值时,高度差值的符号不同而包括从正变为负或从负变为正的位置。
8.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述载置板及支撑板由选自包括氧化铝-碳化硅复合烧结体、氧化铝烧结体、氮化铝烧结体、氧化钇烧结体的组中的粒径为2μm以下的陶瓷形成。
9.根据权利要求3所述的静电卡盘装置的制造方法,其中,
所述加工工序为将所述载置面加工成凹面的工序。
10.根据权利要求3所述的静电卡盘装置的制造方法,其中,
所述加工工序为将所述载置面加工成凸面的工序。
11.根据权利要求3所述的静电卡盘装置的制造方法,其中,
所述凹面或凸面通过磨削加工及抛光加工形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造