[发明专利]静电卡盘装置及静电卡盘装置的制造方法在审
申请号: | 201980006442.8 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN111480222A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 尾崎雅树;森下德人 | 申请(专利权)人: | 住友大阪水泥股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 陈亦欧;毛立群 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 装置 制造 方法 | ||
静电卡盘装置(1)具备:静电卡盘部(2),具备具有载置板状试样W的载置面(11a)的基材(11)及将板状试样(W)静电吸附于载置面(11a)的静电吸附用内部电极(13);冷却用基部(3),冷却静电卡盘部(2);及粘接剂层(4),介于静电卡盘部(2)与冷却用基部(3)之间,基材(11)的载置面的形状呈凹面(23)或凸面,并且不包括拐点,该凹面(23)或凸面为从载置面(11a)的中心(11b)朝向载置面(11a)的外周(11c)逐渐弯曲的曲面状,以冷却用基部(3)的一主表面(3a)的位置为基准的凹面(23)或凸面的中心的高度与以冷却用基部(3)的一主表面(3a)的位置为基准的凹面(23)或凸面的外周的高度之差的绝对值为1μm以上且30μm以下。
技术领域
本发明涉及一种静电卡盘装置及静电卡盘装置的制造方法。
本申请主张基于2018年8月30日于日本申请的日本专利申请2018-161547号的优先权,并将其内容援用于此。
背景技术
以往,在半导体装置或液晶装置等的制造工序中,对半导体晶片、金属晶片、玻璃基板等板状试样的表面实施了各种处理。在进行该各种处理时,为了通过静电吸附力固定板状试样并且将该板状试样维持在优选的恒定温度,使用了静电卡盘装置。
静电卡盘装置为具有在作为电介质的陶瓷板状体的内部或其下表面上设置有静电吸附用内部电极的静电卡盘部作为必不可少的部件的装置。并且,静电卡盘装置将半导体晶片、金属晶片、玻璃基板等板状试样载置于陶瓷板状体的表面(吸附面)。并且,通过静电吸附力将该板状试样吸附固定在陶瓷板状体的吸附面上,该静电吸附力通过在该板状试样与静电吸附用内部电极之间施加电压而产生。
在这种静电卡盘装置中,以控制加工中或处理中的板状试样的温度为目的,在陶瓷板状体的吸附面与板状试样之间存在使氦等惰性气体流动来冷却板状试样的装置。在这种静电卡盘装置中,进行了用于改善惰性气体的密封特性或晶片等板状试样的解吸特性等各种特性的各种改良。
例如,提出了一种静电卡盘装置,其在陶瓷板状体等基材的一主表面上的周缘部设置有环状突起部,并在该一主表面上的被环状突起部包围的区域设置有高度与环状突起部相同的多个突起部。更具体而言,该环状突起部的上端部及多个突起部的上端部位于以基材的一主表面的中心部为底面的凹面上。由此,在吸附或解吸板状试样时,板状试样不会变形,该板状试样的温度也会变得均匀,甚至不易产生微粒(例如,参考专利文献1)。
上述静电卡盘装置通过包括以下工序的方法来制造。即,通过包括如下工序的制造方法来制造:通过对包括支撑板的静电卡盘部的表面进行抛光加工使该表面成为平坦面,接着,对该表面实施喷砂加工的工序;在冷却用基部的与静电卡盘部的接合面(基部表面)上等间隔地固定多个棱柱状的垫片的工序;及将粘接剂涂布于固定有垫片的冷却用基部的接合面,使静电卡盘部的支撑板与该粘接剂密合,使静电卡盘部的支撑板接近于垫片的上表面,并且将静电卡盘部按压于冷却用基部,由此使整个静电卡盘部的截面变形为弓形,其结果,使静电卡盘部的环状突起部的上端面及多个突起部中的每个突起部的上端面位于凹面上的工序。并且,上述静电卡盘装置还通过包括以下工序的方法来制造。即,通过包括如下工序的制造方法来制造:通过对载置板的表面进行抛光加工使该表面成为平坦面,接着,对该表面实施喷砂加工的工序;在通过将载置板、吸附用内部电极层、支撑板接合为一体来制作静电卡盘部之后,将静电卡盘部的载置板的整个表面抛光加工成凹面的工序;及准备固定有垫片的冷却用基部,将粘接剂涂布于该基部的接合面,接着,使静电卡盘部的支撑板与粘接剂密合,使静电卡盘部的支撑板接近于垫片的上表面,将静电卡盘部按压于冷却用基部,由此使整个静电卡盘部的截面变形为弓形,使静电卡盘部的环状突起部的上端面及多个突起部中的每个突起部的上端面位于凹面上的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造