[发明专利]通过基于选定字线修改沟道放电的持续时间来减少双层存储器设备中的读取干扰

权利要求书

1.一种装置，包括：

一组NAND串(700n,710n,720n,730n)，所述组NAND串在堆叠(610)的下层(600,1605)和上层(601,1616)中延伸，所述下层通过接口(IF)与所述上层分开，每个NAND串包括沟道(700a,710a,720a,730a)、一组存储器单元(703-714,713-734,743-754,753-774)和漏极侧选择栅极晶体管(716,736,756,776)；和

控制电路(110,122)，所述控制电路被配置为响应于读取命令，在读取所述组NAND串中的选定存储器单元之前的放电周期(1205a,1205b)期间将所述沟道放电，其中所述放电周期在所述选定存储器单元在所述下层的顶部(553)处时比所述选定存储器单元在所述下层的底部(550)处时长。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述控制电路被配置为将所述放电周期设置成在所述选定存储器单元在所述下层的所述顶部处时比所述选定存储器单元在所述上层的顶部处时长。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中：

所述控制电路被配置为将所述放电周期设置成在所述选定存储器单元在所述上层的底部(552)处时比所述选定存储器单元在所述上层的顶部(553)处时长。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中：

所述控制电路被配置为当所述选定存储器单元在所述下层中时将所述放电周期设置为最大电平，高于所述下层中的所述存储器单元的至少20％并且低于所述下层中的所述存储器单元的至少20％。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中当所述选定存储器单元在所述下层中时：

所述控制电路被配置为当所述选定存储器单元在与所述下层的底部相邻的一组存储器单元中时，根据所述选定存储器单元的增加高度来增加所述放电周期；和

当所述选定存储器单元在与所述下层的顶部相邻的一组存储器单元中时，所述放电周期不随着所述选定存储器单元的所述增加高度而增加。

6.根据权利要求5所述的装置，其中：

所述控制电路被配置为当所述选定存储器单元在与所述下层的所述顶部相邻的所述组存储器单元中时，根据所述选定存储器单元的所述增加高度来减小所述放电周期。

7.根据权利要求5所述的装置，其中：

当所述选定存储器单元在与所述下层的所述顶部相邻的所述组存储器单元中时，所述放电周期与所述选定存储器单元的所述高度无关。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其中当所述选定存储器单元在所述上层中时：

所述控制电路被配置为当所述选定存储器单元在与所述上层的底部相邻的第一组存储器单元中时，根据所述选定存储器单元的增加高度来减小所述放电周期；

所述控制电路被配置为当所述选定存储器单元在与所述第一组存储器单元相邻并位于其上方的第二组存储器单元中时，根据所述选定存储器单元的所述增加高度来增加所述放电周期；和

所述控制电路被配置为当所述选定存储器单元在与所述第二组存储器单元相邻并位于其上方并且与所述上层的顶部相邻的第三组存储器单元中时，根据所述选定存储器单元的所述增加高度来减小所述放电周期。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的装置，其中：

用于在所述放电周期期间将所述沟道放电的所述控制电路被配置为在整个所述放电周期期间将接通电压施加到所述选定存储器单元；和

施加到所述选定存储器单元的所述接通电压的斜升速率在所述选定存储器单元在所述下层的所述顶部处时比所述选定存储器单元在所述下层的底部处时大。