[发明专利]在第一编程遍次中省略验证测试的用于存储器设备的多遍编程过程

权利要求书

1.一种装置，包括：

一组存储器单元，所述组存储器单元连接到字线，每个存储器单元处于相应NAND串中，所述相应NAND串被连接到一组位线，所述组存储器单元的第一子组被配置为被分配到一组数据状态的较低一半，并且所述组存储器单元的第二子组被配置为被分配到所述组数据状态的较高一半，所述组数据状态的较低一半的验证电压低于所述组数据状态的较高一半的验证电压，所述组数据状态的较低一半包括擦除数据状态；和

控制电路，连接到所述组存储器单元，所述控制电路被配置为：

在所述组存储器单元的第一子组被禁止编程且保持在所述擦除数据状态下时，执行其中对所述组存储器单元的所述第二子组进行编程的编程操作的第一编程遍次，其中为了执行所述第一编程遍次，所述控制电路被配置为将一个或多个编程脉冲施加到所述字线而不对所述组存储器单元的所述第二子组执行验证测试；并且

执行其中对所述组存储器单元的所述第一子组和所述组存储器单元的所述第二子组进行编程的所述编程操作的第二编程遍次，其中为了执行所述第二编程遍次，所述控制电路被配置为将一组编程脉冲施加到所述字线并且在所述组编程脉冲中的每个编程脉冲之后对所述组存储器单元的所述第一子组和所述组存储器单元的所述第二子组执行验证测试。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

在所述第一编程遍次的一个或多个编程脉冲的单个编程脉冲期间，所述控制电路被配置为根据所述组数据状态的较高一半的不同分配数据状态，将不同的编程使能电压施加到所述组存储器单元的所述第二子组的相应位线，并且将编程禁止电压施加到所述组存储器单元的所述第一子组的相应位线。

3.根据权利要求2所述的装置，其中：

所述不同的编程使能电压针对所述组数据状态的较高一半中的最低数据状态为最高的，并且针对所述组数据状态的较高一半中的最高数据状态为最低的。

4.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一编程遍次的一个或多个编程脉冲包括初始编程脉冲和所述初始编程脉冲之后的一个或多个连续编程脉冲；并且

在所述第一编程遍次中，所述控制电路被配置为使用所述初始编程脉冲来将所述组存储器单元的所述第二子组编程为共同的初始阈值电压分布，并且使用所述一个或多个连续编程脉冲来将所述组存储器单元的所述第二子组的一部分从所述共同的初始阈值电压分布编程为比所述共同的初始阈值电压分布高的一个或多个阈值电压分布。

5.根据权利要求4所述的装置，其中：

所述第一编程遍次的一个或多个编程脉冲中的编程脉冲的数量等于所述组数据状态的较高一半中的数据状态的数量。

6.根据权利要求4所述的装置，其中：

所述第一编程遍次的一个或多个编程脉冲中的编程脉冲的数量小于所述组数据状态的较高一半中的数据状态的数量。

7.根据权利要求2所述的装置，其中：

所述不同编程使能电压中的编程使能电压的数目小于所述组数据状态的较高一半中的数据状态的数目。

8.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述组数据状态包括至少八个数据状态。