[发明专利]旋流形成体在审
| 申请号： | 201980006736.0 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111512427A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 德永英幸;舆石克洋;田中秀光;岩坂齐 | 申请（专利权）人： | 哈莫技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;B23Q7/04;B25J15/06;B65G49/07 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 张美芹;刘久亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 流形 成体 | ||
1.一种旋流形成体，所述旋流形成体包括：
主体；
端面，所述端面形成在所述主体处并面对被施加有抽吸的目标物体；
在所述端面上开的孔；
喷射口，所述喷射口形成在所述主体的内周上，所述内周面对所述孔；
流体通道，所述流体通道允许流体经由所述喷射口排出到所述孔中，从而形成产生负压的旋流；以及
凸缘部，所述凸缘部形成为从所述内周突出，所述凸缘部允许借助所述负压被施加有抽吸的流体穿过，同时防止经由所述喷射口排出的流体从所述孔朝所述目标物体流出，其中，所述内周形成为将经由所述喷射口排出的流体引导成沿离开所述目标物体的方向从所述孔排出。
2.一种旋流形成体，所述旋流形成体包括：
主体；
端面，所述端面形成在所述主体处并面对被施加有抽吸的目标物体；
在所述端面上开的孔；
喷射口，所述喷射口形成在所述主体的内周上，所述内周面对所述孔；
流体通道，所述流体通道允许流体经由所述喷射口排出到所述孔中，从而形成产生负压的旋流；以及
凸缘部，所述凸缘部形成为从所述内周突出，所述凸缘部允许借助所述负压被施加有抽吸的流体穿过，同时防止经由所述喷射口排出的流体从所述孔朝所述目标物体流出，其中，所述流体通道形成为允许经由所述喷射口排出的流体沿离开所述目标物体的方向从所述孔排出。
3.根据权利要求1或2所述的旋流形成体，其中，所述凸缘部包括突出部，所述突出部在所述凸缘部的端部处形成为在离开所述目标物体的方向上突出。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的旋流形成体，其中，
所述凸缘部包括：面对所述目标对象的第一端面；与所述第一端面相对的第二端面；以及在所述第一端面和所述第二端面上开口的通孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
