[发明专利]旋流形成体在审
申请号: | 201980006736.0 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN111512427A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 德永英幸;舆石克洋;田中秀光;岩坂齐 | 申请(专利权)人: | 哈莫技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B23Q7/04;B25J15/06;B65G49/07 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张美芹;刘久亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流形 成体 | ||
旋流形成体(1)设置有:通孔(102);喷射口(106),其形成在面对通孔(102)的内周表面(105)中;流体通道(109),其将流体从喷射口(106)喷射到通孔(102)中以形成旋流,从而产生负压并抽吸待抽吸的物体;以及凸缘部(110),其形成为从内周面(105)突出,允许被负压抽吸的流体流动,并且防止已经从喷射口(106)喷射的流体朝待抽吸的物体流出。内周面(105)形成为沿离开待抽吸的物体的方向引导已经从喷射口(106)喷射的流体并允许流体从通孔(102)排出。
技术领域
本发明涉及一种旋流形成体,用于形成旋流以产生抽吸力。
背景技术
本领域中已知一种利用伯努利原理来输送板状构件的装置。专利文献1公开了一种旋流形成体,该旋流形成体包括板状主体以及形成在该主体中央的通孔。在通孔内形成旋流,从而产生负压并产生用于施加至待输送物体的抽吸力。在旋流形成体中,流体沿着与物体的端面相对设置的端面从通流流出。借助这种构造,流出的流体不会与物体碰撞,从而使得能够控制物体的振动。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP 2017-217733 A1
发明内容
本发明要解决的问题
鉴于上述技术而完成了本发明,并且本发明的目的是对物体稳定地施加抽吸。
解决问题的手段
为了解决上述问题,根据本发明的旋流形成体包括:主体;端面,所述端面形成在所述主体处并面对被施加有抽吸的目标物体;在所述端面上开的孔;喷射口,所述喷射口形成在所述主体的内周上,所述内周面对所述孔;流体通道,所述流体通道允许流体经由所述喷射口排出到所述孔中,从而形成产生负压的旋流;以及凸缘部,所述凸缘部形成为从所述内周突出,所述凸缘部允许借助所述负压被施加有抽吸的流体穿过,同时防止经由所述喷射口排出的流体从所述孔朝所述目标物体流出,其中,所述内周形成为将经由所述喷射口排出的流体引导成沿离开所述目标物体的方向从所述孔排出。
根据本发明的另一种旋流形成体包括:主体;端面,所述端面形成在所述主体处并面对被施加有抽吸的目标物体;在所述端面上开的孔;喷射口,所述喷射口形成在所述主体的内周上,所述内周面对所述孔;流体通道,所述流体通道允许流体经由所述喷射口排出到所述孔中,从而形成产生负压的旋流;以及凸缘部,所述凸缘部形成为从所述内周突出,所述凸缘部允许借助所述负压被施加有抽吸的流体穿过,同时防止经由所述喷射口排出的流体从所述孔朝所述目标物体流出,其中,所述流体通道形成为允许经由所述喷射口排出的流体沿离开所述目标物体的方向从所述孔排出。
所述凸缘部可以包括突出部,所述突出部在所述凸缘部的端部处形成为在离开所述目标物体的方向上突出。
所述凸缘部可以包括:面对所述目标对象的第一端面;与所述第一端面相对的第二端面;以及在所述第一端面和所述第二端面上开口的通孔。
本发明的效果
本发明使得能够对物体施加稳定地抽吸。
附图说明
图1是旋流形成体1的上表面的实施例的立体图。
图2是旋流形成体1的下表面的实施例的立体图。
图3是旋流形成体1沿图1中所示的线I-I的剖视图。
图4是图3中所示的部分A的放大图。
图5是主体101A的上表面的实施例的立体图。
图6是主体101A沿图5中所示的线II-II的剖视图。
图7是图6中所示的部分B的放大图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造