[发明专利]电磁波检测装置有效
申请号: | 201980006851.8 | 申请日: | 2019-01-16 |
公开(公告)号: | CN111527740B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 竹内绘梨 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H04N5/225 | 分类号: | H04N5/225;G01J1/04;G02B26/08;H01L31/0232 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁波 检测 装置 | ||
1.一种电磁波检测装置,其中,
具有:
照射部,照射电磁波;
反射部,一边使从所述照射部照射的电磁波的照射位置变化一边向对象射出所述电磁波;
第一成像部,对所述电磁波被所述对象反射而入射的电磁波进行成像;
行进部,沿着基准面配置有多个像素,针对每个像素使从所述第一成像部向所述基准面入射的电磁波沿第一方向行进;
第二成像部,对沿所述第一方向行进的电磁波进行成像;以及
第一检测部,对从所述第二成像部入射的电磁波进行检测,
所述电磁波检测装置至少满足如下配置的至少一方:
所述基准面以及所述第一检测部的检测面各自的延长面交叉,所述第二成像部的主轴通过所述基准面以及所述第一检测部的检测面的配置;以及
与所述行进部的间隔被确定且以所述基准面为成像面的所述第一成像部的物体面和所述基准面各自的延长面交叉,所述第一成像部的主轴通过所述基准面的配置。
2.如权利要求1所述的电磁波检测装置,其中,
所述电磁波检测装置满足如下配置中至少一方:
所述第二成像部的主轴通过所述基准面的中心和所述第一检测部的检测面的中心的配置;以及
所述第一成像部的主轴通过所述基准面的中心的配置。
3.如权利要求1或2所述的电磁波检测装置,其中,
所述电磁波检测装置满足如下配置中至少一方:
所述基准面、所述第二成像部的主面、以及所述第一检测部的检测面各自的延长面在同一直线上全部交叉的配置;以及
所述基准面以及所述第一成像部的主面各自的延长面交叉的配置。
4.如权利要求1或2所述的电磁波检测装置,其中,
所述电磁波检测装置满足如下配置中至少一方:
所述基准面、所述第二成像部的主面、以及所述第一检测部的检测面满足沙伊姆弗勒原理的条件的配置;以及
所述第一成像部的主面以及所述基准面满足沙伊姆弗勒原理的条件的配置。
5.如权利要求1或2所述的电磁波检测装置,其中,
所述行进部能够针对每个所述像素在使从所述第一成像部入射至所述基准面的电磁波沿所述第一方向行进的第一状态以及沿第二方向行进的第二状态之间进行切换。
6.如权利要求5所述的电磁波检测装置,其中,
所述电磁波检测装置还具有:
第三成像部,对沿所述第二方向行进的电磁波进行成像;以及
第二检测部,对从所述第三成像部入射的电磁波进行检测。
7.如权利要求6所述的电磁波检测装置,其中,
所述电磁波检测装置是如下配置:
所述基准面以及所述第二检测部的检测面各自的延长面交叉,所述第三成像部的主轴通过所述基准面以及所述第二检测部的检测面。
8.如权利要求6或7所述的电磁波检测装置,其中,
所述电磁波检测装置是如下配置:
所述第三成像部的主轴通过所述基准面的中心和所述第二检测部的检测面的中心。
9.如权利要求6或7所述的电磁波检测装置,其中,
所述电磁波检测装置是如下配置:
所述基准面、所述第三成像部的主面、以及所述第二检测部的检测面各自的延长面在同一直线上全部交叉。
10.如权利要求6或7所述的电磁波检测装置,其中,
所述电磁波检测装置是如下配置:
所述基准面、所述第三成像部的主面、以及所述第二检测部的检测面满足沙伊姆弗勒原理的条件。
11.如权利要求7所述的电磁波检测装置,其中,
所述行进部在每个所述像素上具有反射面,并且能够使每个所述像素变更所述反射面的朝向。
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