[发明专利]用于使沉积在透明基底上的抗反射处理层硬化的方法及包括硬化的抗反射处理层的透明基底

权利要求书

1.用于使沉积在透明基底上的抗反射处理层(20)硬化的硬化方法，该透明基底包括顶面(22a)和远离该顶面(22a)延伸的底面(22b)，抗反射处理(20)包括将由至少一种材料构成的至少一个抗反射层沉积在该透明基底的该顶面(22a)和该底面(22b)中的至少一者上的步骤，该硬化方法进一步包括利用由单电荷和/或多电荷电子回旋共振(ECR)离子源(1)产生的单电荷和/或多电荷离子束(14)轰击该至少一个抗反射层已沉积在其上的至少一个顶面(22a)或底面(22b)的步骤。

2.根据权利要求1所述的硬化方法，其特征在于，该至少一个抗反射层通过材料的真空蒸镀沉积。

3.根据权利要求2所述的硬化方法，其特征在于，真空蒸镀沉积技术选自物理气相沉积、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积和原子层沉积。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的硬化方法，其特征在于，在沉积该至少一个抗反射层之前，使要经受抗反射处理的该顶面(22a)和/或底面(22b)经历离子轰击。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的硬化方法，其特征在于，在已经历离子轰击的抗反射处理层(20)上沉积至少一个附加的抗反射层。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的硬化方法，其特征在于，该ECR离子源(1)包括注射级(2)，微波(6)和一定体积的待被离子化的气体(4)被注射到该注射级中；磁约束级(8)，等离子体(10)在该磁约束级中产生；和提取级(12)，该提取级允许该等离子体(10)的离子被提取并利用高电压被施加在其间的阳极(12a)和阴极(12b)被加速，在该ECR离子源(1)的输出端处产生的离子束(14)撞击该透明基底的待被处理的表面，并且或多或少地渗透到构造在该透明基底的待被处理的顶面(22a)和底面(22b)中的至少一者上的该抗反射处理层(20)中。

7.根据权利要求6所述的硬化方法，其特征在于，待被离子化的材料选自由碳(C)、氧(O)、氮(N)、氩(Ar)、氦(He)、氙(Xe)和氖(Ne)组成的组。

8.根据权利要求7所述的硬化方法，其特征在于，所述离子能够是其电离度等于+1的单电荷类型，或者能够是其电离度大于+1的多电荷类型。

9.根据权利要求8所述的硬化方法，其特征在于，由ECR离子源(1)产生的离子束(14)能由全部具有相同的电离度的离子形成，或者能由具有至少两个不同的电离度的离子的混合物形成。

10.根据权利要求7-9中任一项所述的硬化方法，其特征在于，所述离子在30kV至50kV的范围内的电压下被加速。

11.根据权利要求10所述的硬化方法，其特征在于，待被注入的离子的剂量在0.1·10¹⁶个离子/平方厘米至2·10¹⁶个离子/平方厘米的范围内。

12.根据权利要求11所述的硬化方法，其特征在于，离子注入过程的持续时间不超过5秒。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的硬化方法，其特征在于，所述透明基底由蓝宝石制成。

14.根据权利要求13所述的硬化方法，其特征在于，所述透明基底是表镜(18)。

15.根据权利要求1-14中任一项所述的硬化方法，其特征在于，所述一个或多个抗反射层利用二氧化硅(SiO₂)或氟化镁(MgF₂)制成。

16.根据权利要求14所述的硬化方法，其特征在于，所述抗反射层的厚度不超过150nm。

17.已经历抗反射处理的透明基底，该透明基底包括顶面(22a)和远离该顶面(22a)延伸的底面(22b)，该透明基底的顶面(22a)和底面(22b)中的至少一者涂覆有由至少一种材料构成的至少一个抗反射层，其中，离子被注入在该至少一个抗反射层中。