[发明专利]保持装置及保持装置的制造方法有效
| 申请号： | 201980007168.6 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111527790B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 坂卷龙之介;高冈胜哉;渡边洋史 | 申请（专利权）人： | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号： | H05B3/02 | 分类号： | H05B3/02;H01L21/683;H05B3/10;H05B3/74 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 任天诺;高培培 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保持 装置 制造 方法 | ||
1.一种保持装置，具备：
陶瓷构件，具有第一表面，并且由以氮化铝为主要成分的陶瓷烧结体形成；
金属制的发热电阻器，配置于所述陶瓷构件的内部；
与所述发热电阻器接触的导电性的供电连接构件；及
与所述供电连接构件电连接的导电性的供电端子，
该保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，其特征在于，
所述供电连接构件的表面中除了与所述发热电阻器的接触面及与所述供电端子的连接面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的第二涂层覆盖，该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。
2.根据权利要求1所述的保持装置，其特征在于，
所述供电连接构件的表面中与所述发热电阻器的接触面的至少一部分被由氮化物形成的第一涂层覆盖，该氮化物含有Ti、Zr、V、Cr、Ta和Nb中的至少1种。
3.根据权利要求2所述的保持装置，其特征在于，
所述第一涂层的厚度为0.3μm以上且60μm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的保持装置，其特征在于，
所述发热电阻器的表面中除了与所述供电连接构件的接触面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的第三涂层覆盖，该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。
5.一种保持装置的制造方法，该保持装置具备：陶瓷构件，具有第一表面，并且由以氮化铝为主要成分的陶瓷烧结体形成；金属制的发热电阻器，配置于所述陶瓷构件的内部；与所述发热电阻器接触的导电性的供电连接构件；及与所述供电连接构件电连接的导电性的供电端子，该保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，其特征在于，所述保持装置的制造方法包括：
在所述供电连接构件的表面中除了与所述发热电阻器的接触面及与所述供电端子的连接面以外的表面的至少一部分形成含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种的氮化物的涂层的工序；及
通过烧成来制作在内部配置有所述发热电阻器和形成有所述涂层的所述供电连接构件的所述陶瓷构件。
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