[发明专利]保持装置及保持装置的制造方法

说明书

一种保持装置及保持装置的制造方法，该保持装置抑制由供电连接构件的电阻值的偏差引起的发热电阻器的发热量的偏差。保持装置具备：陶瓷构件，由以氮化铝为主要成分的陶瓷烧结体形成；金属制的发热电阻器，配置于陶瓷构件的内部；与发热电阻器接触的导电性的供电连接构；及与供电连接构件电连接的导电性的供电端子，该保持装置是将对象物保持在陶瓷构件的表面上的装置。供电连接构件的表面中除了与发热电阻器的接触面及与供电端子的连接面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的涂层覆盖，该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。

技术领域

在本说明书中公开的技术涉及对对象物进行保持的保持装置。

背景技术

公知有对对象物(例如，半导体晶片)进行保持并加热至规定的温度(例如，400～800℃的程度)的加热装置(也称为“基座”。)。加热装置例如作为如成膜装置(CVD成膜装置、溅射成膜装置等)、蚀刻装置(等离子蚀刻装置等)这样的半导体制造装置的一部分而使用。

一般而言，加热装置具备由陶瓷烧结体形成的陶瓷构件。在陶瓷构件的内部配置有例如钨(W)、钼(Mo)等金属制的发热电阻器。另外，加热装置具备与发热电阻器接触的导电性的供电连接构件以及与供电连接构件电连接的导电性的供电端子。当经由供电端子及供电连接构件对发热电阻器施加电压时，发热电阻器发热，从而保持在陶瓷构件的表面(以下，称为“保持面”。)上的对象物被加热。

在加热装置的制造时，通过在高温(例如，1700℃～1900℃的程度)下对在内部配置有发热电阻器的材料的陶瓷构件的材料的成形体进行烧成，制作由致密的陶瓷烧结体形成的陶瓷构件和在陶瓷构件的内部配置的发热电阻器。在该烧成时，来自炉内气氛、原料的杂质(例如，碳)进入致密化前的陶瓷构件的材料的成形体中而与发热电阻器发生反应，由此会在发热电阻器的表面形成变质层(例如，碳化钨层、碳化钼层)。若在发热电阻器的表面形成变质层，则产生发热电阻器的电阻值的偏差(产品内及/或产品间的偏差)，由此可能产生发热电阻器的发热量的偏差，从而产生陶瓷构件的保持面的温度(进而，保持于保持面的对象物的温度)的偏差。以往，公知有通过对陶瓷构件的相对密度、烧成条件进行调整，抑制在发热电阻器的表面形成变质层的技术(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-273586号公报

发明内容

发明所要解决的课题

上述现有技术仅注目于在发热电阻器的表面形成的变质层。然而，本申请发明人新发现了如下课题，即，在陶瓷构件的烧成时，来自炉内气氛、原料的杂质与供电连接构件发生反应，由此会在供电连接构件的表面形成变质层，由于变质层的形成，可能会发生供电连接构件与发热电阻器或者供电端子之间的接触不良，或由供电连接构件的电阻值的偏差引起的发热电阻器的发热量的偏差。

需要说明的是，这样的课题不限于上述的结构的加热装置，而是具备由陶瓷烧结体形成的陶瓷构件、配置于陶瓷构件的内部的金属制的发热电阻器、与发热电阻器接触的导电性的供电连接构件及与供电连接构件电连接的导电性的供电端子，并将对象物保持在陶瓷构件的表面上的一般的保持装置的通用课题。

在本说明书中，公开了能够解决上述的课题的技术。

用于解决课题的技术方案

在本说明书中公开的技术例如能够作为以下的方式实现。