[发明专利]二氧化碳气体传感器有效

专利信息
申请号: 201980007178.X 申请日: 2019-06-14
公开(公告)号: CN111587372B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 铃木卓弥 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;C01F17/247
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 二氧化碳 气体 传感器
【权利要求书】:

1.一种气体传感器,其为具备绝缘基板、和在所述绝缘基板的一个主表面夹着电极而形成的气体感知层的二氧化碳气体传感器,

所述气体感知层包含:

(a)Ln2O2CO3所示的1种以上的稀土金属碳酸氧盐,Ln2O2CO3中,Ln为选自由Sc、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Pr、Yb、Lu中的1种以上的稀土金属元素,所述稀土金属碳酸氧盐的主要成分为六方晶稀土金属碳酸氧盐;或

(b)单斜晶碳酸二氧钐。

2.根据权利要求1所述的气体传感器,其中,所述气体感知层包含六方晶碳酸二氧镧或单斜晶碳酸二氧钐。

3.一种二氧化碳气体传感器的制造方法,其包括如下工序:

制造传感器结构体的工序,所述传感器结构体包含绝缘基板和气体感知层,所述气体感知层在所述绝缘基板的一个主表面夹着电极而形成、且包含Ln2O2CO3所示的1种以上的稀土金属碳酸氧盐,Ln2O2CO3中,Ln为选自Sc、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Pr、Yb、Lu中的1种以上的稀土金属元素;和

对所述传感器结构体进行老化的工序,

所述老化工序包括:在包含300~3000ppm二氧化碳、湿度为20%~90%的气体气氛中、在将所述气体感知层加热至300~400℃的条件下,将所述传感器结构体连续驱动48小时以上的工序。

4.根据权利要求3所述的制造方法,其中,在制造所述传感器结构体的工序中,所述稀土金属碳酸氧盐包含单斜晶稀土金属碳酸氧盐。

5.一种二氧化碳气体传感器的制造方法,其包括如下工序:

制造传感器结构体的工序,所述传感器结构体包含绝缘基板和气体感知层,所述气体感知层在所述绝缘基板的一个主表面夹着电极而形成、且包含单斜晶碳酸二氧钐。

6.一种二氧化碳气体传感器的老化方法,其包括如下工序:

在包含300~3000ppm的二氧化碳、湿度为20%~90%的气体气氛中、在将气体感知层加热至300~400℃的条件下,将二氧化碳气体传感器连续驱动48小时以上的工序,所述二氧化碳气体传感器包含绝缘基板和所述气体感知层,所述气体感知层在所述绝缘基板的一个主表面夹着电极而形成、且包含Ln2O2CO3所示的1种以上的稀土金属碳酸氧盐,Ln2O2CO3中,Ln为选自Sc、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Pr、Yb、Lu中的1种以上的稀土金属元素。

7.一种选择性制造La2O2CO3所示的碳酸二氧镧的多晶型的方法,其包括如下工序:

将La[CH3COO]3·nH2O所示的乙酸镧水合物或La2[C2O4]3·nH2O所示的草酸镧水合物在包含350~500ppm二氧化碳的气体气氛中,以425~575℃的加热温度加热2~80小时的工序,

通过调节所述加热温度和/或所述加热时间,来选择性制造单斜晶、六方晶、及混合存在有单斜晶和六方晶的碳酸氧镧。

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