[发明专利]Ag合金溅射靶及Ag合金溅射靶的制造方法

说明书

本发明的Ag合金溅射靶的特征在于，具有如下组成：在合计0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In及Sn中的至少一种以上，且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，在Ar气体压力0.1Pa、电流密度1.5W/cm²、累计电量0.01kWh/cm²的条件下实施溅射后的靶溅射面的算术平均表面粗糙度Ra设为7μm以下。

技术领域

本发明涉及一种在形成包含In及Sn中的至少一种以上且剩余部分由Ag和不可避免的杂质构成的Ag合金的薄膜时所使用的Ag合金溅射靶及该Ag合金溅射靶的制造方法。

本申请主张基于2018年2月20日于日本申请的专利申请2018-028143号及2019年2月15日于日本申请的专利申请2019-025935号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

通常，对于显示器或LED等反射电极膜、触摸面板等配线膜、透明导电膜等使用电阻率低的Ag膜。例如，在专利文献1中，公开了使用以高效率反射光的Ag膜或Ag合金膜作为半导体发光元件的电极的构成材料。并且，在专利文献2中，公开了使用Ag合金膜作为触摸面板的引出配线。此外，在专利文献3中，公开了使用Ag合金作为有机EL元件的反射电极的构成材料。

这些Ag膜及Ag合金膜通过利用由Ag或Ag合金构成的溅射靶进行溅射而成膜。

近年来，随着制造有机EL元件时的玻璃基板的大型化，用于形成反射电极膜时的Ag合金溅射靶也正在大型化。

但是，从提高生产率的观点考虑，若向大型化的Ag合金溅射靶投入高电力而进行溅射，则发生异常放电，并且发生称为飞溅的现象(熔融后的微粒附着于基板的现象)。

为了抑制上述异常放电和飞溅现象，在专利文献4、5中，提出有规定合金的晶粒的平均粒径，并且抑制了晶粒的粒径的偏差的Ag合金溅射靶。

专利文献1：日本特开2006-245230号公报(A)

专利文献2：日本特开2009-031705号公报(A)

专利文献3：日本特开2012-059576号公报(A)

专利文献4：日本特开2011-100719号公报(A)

专利文献5：日本特开2014-173158号公报(A)

在上述溅射靶中，若连续实施溅射成膜，则较厚地形成附着于腔室内部的防附着板等各种部件的膜并且膜应力上升，膜的一部分剥离而产生颗粒。因此，定期开放腔室以进行内部的部件的更换或清理。另外，腔室的开放除了在清理时实施以外，在进行另一种类型的成膜时或更换材料时也实施。

如上所述，若开放腔室，则有可能原为真空气氛的腔室成为大气气氛，活性溅射靶的表面层氧化或与大气中的化学物质形成反应产物。另外，在Ag合金靶的情况下，作为反应产物可能会生成硫化物。

并且，即使在大气中保管溅射靶的情况下，有时在靶表面形成氧化膜或反应产物。

如上所述，当再次使用在靶表面形成有氧化膜或反应产物的溅射靶时，需要实施预溅射，直至去除靶表面的氧化物或反应产物并且已形成的膜的特性稳定为止。

最近，为了提高成膜效率，需要缩短预溅射的时间。

发明内容

该发明是鉴于上述情况而完成，并且其目的在于提供一种能够缩短预溅射时间，并且能够高效地形成耐热性及耐硫化性优异的Ag合金膜的Ag合金溅射靶及Ag合金溅射靶的制造方法。