[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 201980007421.8 申请日: 2019-01-09
公开(公告)号: CN111566821B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 兼松大二;益子庆一郎;中井出;片山博贵 申请(专利权)人: 松下控股株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L21/76;H01L31/0747
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 太阳能 电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种背结型的太阳能单电池,其特征在于,包括:

具有光入射的受光面和背对所述受光面的背面的半导体基片;

在所述半导体基片的所述背面上,在第一方向上延伸、且在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层和p型半导体层;和

设置在所述n型半导体层和所述p型半导体层上的基底层,

所述基底层包括:由具有在不同方向上延伸的第一分离部和第二分离部的第一分离槽彼此分离开的、设置在所述n型半导体层上的n侧基底层和设置在所述p型半导体层上的p侧基底层;和将所述第一分离部和所述第二分离部分隔开的第一桥部,

所述n侧基底层具有在所述第一方向上延伸的第一n侧基底部,

所述p侧基底层具有在所述第一方向上延伸并与所述第一n侧基底部相邻设置的第一p侧基底部,

所述第一桥部,在所述第一n侧基底部的在所述第一方向上的一侧的第一端部与所述p侧基底层的边界、和在所述第一p侧基底部的所述第一方向上的另一侧的第二端部与所述n侧基底层的边界的至少一者,将所述第一分离部和所述第二分离部分隔开。

2.如权利要求1所述的太阳能单电池,其特征在于:

所述n侧基底层具有在所述第二方向上延伸、且连接所述第一n侧基底部的在所述第一方向上的另一侧端部的第二n侧基底部,

所述p侧基底层具有在所述第二方向上延伸、且连接所述第一p侧基底部的在所述第一方向上的一侧端部的第二p侧基底部,

在俯视所述太阳能单电池时,所述第一分离部在所述第一方向上延伸,且设置在彼此相邻的所述第一n侧基底部和所述第一p侧基底部之间,

所述第二分离部分别设置在所述第一端部与所述第二p侧基底部之间和所述第二端部与所述第二n侧基底部之间,

所述第二分离部在所述第二方向上的长度大于彼此相邻的所述第一分离部之间的间隔,

所述第一桥部将所述第一分离部的在所述第一方向上的端部与所述第二分离部分隔开。

3.如权利要求2所述的太阳能单电池,其特征在于:

第一桥部在所述第一方向上的长度,为所述第一桥部在所述第二方向上的长度以下。

4.如权利要求1所述的太阳能单电池,其特征在于:

所述n侧基底层具有在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸、且连接所述第一n侧基底部的在所述第一方向上的另一侧端部的第二n侧基底部,

所述p侧基底层具有在所述第二方向上延伸、且连接所述第一p侧基底部的在所述第一方向上的一侧端部的第二p侧基底部,

在俯视所述太阳能单电池时,所述第一分离部的一端部设置在所述第一p侧基底部与所述第二n侧基底部的边界处,另一端部设置在与所述第一p侧基底部相邻的一个所述第一n侧基底部与所述第二p侧基底部之间的边界处,

在俯视所述太阳能单电池时,所述第二分离部的一端部设置在所述第一p侧基底部与所述第二n侧基底部之间的边界处,另一端部设置在与所述第一p侧基底部相邻的另一个所述第一n侧基底部与所述第二p侧基底部之间的边界处,

所述第一桥部将所述第一分离部和所述第二分离部的相邻端部分隔开。

5.如权利要求1至4中任一项所述的太阳能单电池,其特征在于,还包括:

设置在所述n侧基底层和所述p侧基底层上的导电层,

所述导电层包括:被第二分离槽彼此分离开的、设置在所述n侧基底层上的n侧导电层和设置在所述p侧基底层上的p侧导电层,以及设置在所述第一桥部上的、隔开所述第二分离槽的第二桥部。

6.如权利要求5所述的太阳能单电池,其特征在于,还包括:

设置在所述n侧导电层上的、由镀膜形成的n侧电极;和

设置在所述p侧导电层上的、由镀膜形成的p侧电极,

在俯视所述太阳能单电池时,所述第一分离槽配置在n侧电极与p侧电极之间、且靠近n侧电极或所述p侧电极的位置。

7.如权利要求1至4、6中的任一项所述的太阳能单电池,其特征在于:

所述基底层由透明材料构成。

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