[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法

说明书

太阳能单电池(1)包括：具有受光面(10a)和背面(10b)的半导体基片(10)；在半导体基片(10)的背面(10b)上在第一方向延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)；和设置在n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)上的基底层(14)。基底层(14)包括：通过具有第一分离部(17a)和第二分离部(17b)的第一分离槽(17)被彼此分离的n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)；和将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开的第一桥部(18)。第一桥部(18)在n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)的在第一方向上的边界中的至少一处，将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开。

技术领域

本发明涉及背结型的太阳能单电池和该太阳能单电池的制造方法。

背景技术

作为光电转换效率改善的太阳能单电池，正在对背结型的太阳能单电池进行研究，在其背面上形成有n型半导体层和p型半导体层二者，该背面是在半导体基片上的与光所入射的受光面相反的面。在背结型的太阳能单电池中，在背面上层叠设置有透明电极层(基底层)，种子层(导电层)和用于提取所产生的电力的镀层(n侧电极和p侧电极)。

专利文献1公开了一种太阳能单电池，其中n侧电极和p侧电极被设置在透明电极层中的分离区域(分离槽)完全分离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2016/157701号

发明内容

发明要解决的课题

作为在基底层中形成分离槽的方法，可以执行激光加工。如上所述，当基底层被分离槽完全分离时，在通过激光进行的图案形成中，产生扫描路径彼此交叉的部位。如果在该扫描路径上扫描激光期间照射激光，则会产生被激光过度照射的部位。由此，可能会损坏半导体层和半导体基片，降低光电转换效率。

因此，本发明的目的是提供一种太阳能单电池和一种太阳能单电池的制造方法，其可在执行激光加工时抑制对半导体层等的损坏。

用于解决课题的方法

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面的太阳能单电池是一种背结型的太阳能单电池，包括：具有光入射的受光面和背对上述受光面的背面的半导体基片；在上述半导体基片的上述背面上，在第一方向上延伸、且在与上述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层和p型半导体层；和设置在上述n型半导体层和上述p型半导体层上的基底层，上述基底层包括：由具有在不同方向上延伸的第一分离部和第二分离部的第一分离槽彼此分离开的、设置在上述n型半导体层上的n侧基底层和设置在上述p型半导体层上的p侧基底层；和将上述第一分离部和上述第二分离部分隔开的第一桥部，上述n侧基底层具有在上述第一方向上延伸的第一n侧基底部，上述p侧基底层具有在上述第一方向上延伸并与上述第一n侧基底部相邻设置的第一p侧基底部，上述第一桥部，在上述第一n侧基底部的在上述第一方向上的一侧的第一端部与上述p侧基底层的边界、和在上述第一p侧基底部的上述第一方向上的另一侧的第二端部与上述n侧基底层的边界的至少一者，将上述第一分离部和上述第二分离部分隔开。