[发明专利]黑色聚酰亚胺薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种聚酰亚胺薄膜，其特征在于，包含：

100重量份的聚酰亚胺树脂；

1重量份至5重量份的第一屏蔽性填料，平均粒径为0.1μm至1μm；以及

0.3重量份至1重量份的第二屏蔽性填料，相对于水平方向的平均粒径为5μm至15μm，相对于垂直方向的平均粒径为1nm至10nm，

可见光区域中的透光率为7％以下，聚酰亚胺薄膜的纵向和/或横向下测量的模量为3GPa以上，聚酰亚胺薄膜的厚度为8.0μm以下，

所述第一屏蔽性填料为炭黑，

所述第二屏蔽性填料为石墨烯。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述第一屏蔽性填料的球形度为0.8以上。

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述第二屏蔽性填料的含量与所述第一屏蔽性填料的含量的比率为100％至1600％。

4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜在纵向上测量的模量为3GPa以上。

5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜在1.1Ghz频率上测量的介电常数为5以下。

6.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的厚度为3μm至7.5μm。

7.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，用于制备根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其特征在于，包括：

步骤(a)，由二酐以及二胺类聚合聚酰胺酸；

步骤(b)，利用研磨机制备平均粒径为0.1μm至1μm的第一屏蔽性填料，以及相对于水平方向的平均粒径为5μm至15μm且相对于垂直方向的平均粒径为1nm至10nm的第二屏蔽性填料；以及

步骤(c)，将所述第一屏蔽性填料和第二屏蔽性填料混合到所述聚酰胺酸，在载体上制膜并进行热处理以进行酰亚胺化。

8.一种覆盖膜，其特征在于，包含根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜。

9.一种电子装置，其特征在于，包含根据权利要求8所述的覆盖膜。