[发明专利]硬掩模用组合物

说明书

本发明的硬掩模用组合物包含吲哚衍生物和芳香族单元。由硬掩模用组合物能够形成耐蚀刻性、涂布性和耐化学性同时提高了的硬掩模。

技术领域

本发明涉及硬掩模用组合物。更详细而言，本发明涉及包含芳香族缩合物或化合物的硬掩模用组合物。

背景技术

例如，在半导体制造、微电子等领域中，电路、配线、绝缘图案等结构物的集成度持续提高。由此，用于上述结构物的精细图案化的光刻工序也被一同开发。

一般而言，在蚀刻对象膜上涂布光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂层，通过曝光和显影工序而形成光致抗蚀剂图案。接下来，将上述光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩膜，将上述蚀刻对象膜部分除去，从而能够形成预定的图案。进行了对于上述蚀刻对象膜的图像转印后，上述光致抗蚀剂图案可以通过灰化(ashing)和/或剥离(strip)工序而除去。

为了在上述曝光工序中抑制由光反射引起的分辨率降低，可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间形成防反射涂(anti-refractive coating；ARC)层。这种情况下，会追加对于上述ARC层的蚀刻，由此上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的消耗量或蚀刻量可能增加。此外，上述蚀刻对象膜的厚度增加或形成所需图案时必要的蚀刻量增加的情况下，可能无法确保所要求的上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的充分的蚀刻耐性。

因此，为了确保用于形成所需图案的光致抗蚀剂的蚀刻耐性和蚀刻选择比，可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间追加抗蚀剂下部膜。

上述抗蚀剂下部膜例如需要具有对于高温蚀刻工序的充分的耐蚀刻性(或蚀刻耐性)、耐热性，此外需要通过例如旋涂工序以均匀的厚度形成。

韩国公开专利第10-2010-0082844号公开了抗蚀剂下部膜形成组合物的一个例子。

发明内容

技术课题

本发明的一课题在于，提供能够形成具有优异的机械、化学特性的硬掩模的硬掩模用组合物。

本发明的一课题在于，提供机械、化学特性提高了的硬掩模。

解决课题的方法

1.一种硬掩模用组合物，其包含：含有以下化学式1至化学式3所表示的重复单元中的至少一种的聚合物、以及溶剂，

[化学式1]

[化学式2]

[化学式3]

(化学式1至3中，R₁为单键、碳原子数1至10的亚烷基或碳原子数6至40的亚芳基，

R₂为氢、取代或非取代的碳原子数1至6的烷基、取代或非取代的碳原子数6至24的芳基或取代或非取代的碳原子数6至24的杂芳基，

R₃为氢、羟基、取代或非取代的碳原子数6至40的芳基或取代或非取代的碳原子数6至40的杂芳基，

R₄为取代或非取代的碳原子数6至40的芳基或取代或非取代的碳原子数6至40的杂芳基，

R₅为取代或非取代的碳原子数6至40的亚芳基或取代或非取代的碳原子数6至40的杂亚芳基)。

2.如上述1所述的硬掩模用组合物，R₄为选自由苯基、联苯基、萘基、菲基、萉基、蒽基、芘基、荧蒽基、芴基、羟基苯基、羟基联苯基、羟基萘基、甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙基苯基和丁氧基苯基组成的组中的至少一种。