[发明专利]具有第一介电部分和第二介电部分的介质谐振器天线在审

专利信息
申请号: 201980008428.1 申请日: 2019-01-15
公开(公告)号: CN111602298A 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 克里斯季·潘采;詹尼·塔拉斯基;罗申·罗斯·乔治 申请(专利权)人: 罗杰斯公司
主分类号: H01Q9/04 分类号: H01Q9/04;H01Q15/08;H01Q19/06;H01Q21/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 杜诚;杨林森
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 一介 部分 第二 介质 谐振器 天线
【权利要求书】:

1.一种电磁器件,包括:

介电结构,所述介电结构包括;

第一介电部分FDP,其具有近端和远端,所述FDP包括除空气外的介电材料;以及

第二介电部分SDP,其具有近端和远端,所述SDP的近端被布置成接近所述FDP的远端,所述SDP包括除空气外的介电材料;并且

其中,所述FDP的介电材料的平均介电常数大于所述SDP的介电材料的平均介电常数。

2.根据权利要求1所述的器件,其中,所述介电结构是全介电结构。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的器件,其中,所述FDP是单一介电材料。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件,其中,所述SDP包括外部主体和内部区域,所述外部主体包括具有第一介电常数的介电材料,并且所述内部区域包括具有小于所述第一介电常数的第二介电常数的介电材料。

5.根据权利要求4所述的器件,其中,所述内部区域包括空气。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件,其中,所述SDP具有3D形状,所述3D形状具有接近所述SDP的近端的第一xy平面截面区域,以及在所述SDP的近端与远端之间的第二xy平面截面区域,所述第二xy平面截面区域大于所述第一xy平面截面区域。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的器件,其中:

所述SDP具有总最大高度HS和总最大宽度WS;并且

HS大于WS。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的器件,其中,所述SDP被设置成与所述FDP直接紧密接触。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的器件,其中,所述SDP被设置在与所述FDP的远端相距等于或小于λ的五倍的距离处,其中,λ是操作中心频率处的自由空间波长。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的器件,其中,所述SDP被设置在与所述FDP的远端相距等于或小于λ的三倍的距离处,其中,λ是操作中心频率处的自由空间波长。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的器件,其中,所述SDP被设置在与所述FDP的远端相距等于或小于λ的二倍的距离处,其中,λ是操作中心频率处的自由空间波长。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的器件,其中,所述SDP被设置在与所述FDP的远端相距等于或小于λ的一倍的距离处,其中,λ是操作中心频率处的自由空间波长。

13.根据权利要求1至7中任一项所述的器件,其中,所述SDP被设置在与所述FDP的远端相距等于或小于λ的二分之一的距离处,其中,λ是操作中心频率处的自由空间波长。

14.根据权利要求1至7中任一项所述的器件,其中,所述SDP被设置在与所述FDP的远端相距等于或小于λ的十分之一的距离处,其中,λ是操作中心频率处的自由空间波长。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的器件,其中:

所述FDP的介电材料的介电常数等于或大于10;并且

所述SDP的介电材料的介电常数等于或小于9。

16.根据权利要求1至14中任一项所述的器件,其中:

所述FDP的介电材料的介电常数等于或大于11;并且

所述SDP的介电材料的介电常数等于或小于5。

17.根据权利要求1至14中任一项所述的器件,其中:

所述FDP的介电材料的介电常数等于或大于12;并且

所述SDP的介电材料的介电常数等于或小于3。

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