[发明专利]具有第一介电部分和第二介电部分的介质谐振器天线

说明书

一种电磁器件，包括介电结构，该介电结构具有：第一介电部分FDP，其具有近端和远端，FDP具有除空气外的介电材料；以及第二介电部分SDP，其具有近端和远端，SDP的近端被设置成接近FDP的远端，SDP具有除空气外的介电材料；并且其中，FDP的介电材料的平均介电常数大于所述SDP的介电材料的平均介电常数。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年1月14日提交的美国申请序列号16/246886的权益，该美国申请要求于2018年2月21日提交的美国临时申请序列号62/633,256的权益，以上申请的全部内容通过引用并入本文中。本申请还要求于2019年1月14日提交的美国申请序列号16/246880的权益，该美国申请要求于2018年1月15日提交的美国临时申请序列号62/617,358的权益，以上申请的全部内容通过引用并入本文中。

背景技术

本公开内容总体上涉及电磁器件，特别地涉及介质谐振器天线(DRA)系统，并且更特别地涉及具有用于增强与DRA系统内的多个介电结构相关联的增益、回波损耗和隔离的第一和第二介电部分的DRA系统。

尽管现有的DRA谐振器和阵列可以适合于其预期目的，但是将通过能够克服现有缺陷(例如有限的带宽、有限的效率、有限的增益、有限的方向性或复杂的制造技术)的用于构建在远场中具有高方向性的高增益DRA系统的改进的DRA结构来改进DRA技术。

发明内容

实施方式包括电磁器件，其具有介电结构，所述介电结构包括：第一介电部分FDP，其具有近端和远端，FDP具有除空气外的介电材料；以及第二介电部分SDP，其具有近端和远端，SDP的近端被设置成接近FDP的远端，SDP具有除空气外的介电材料；并且其中，FDP的介电材料的平均介电常数大于SDP的介电材料的平均介电常数。

实施方式包括制作电磁器件的方法，所述方法包括：提供衬底；在衬底上设置多个第一介电部分FDP，多个FDP中的每个FDP具有近端和远端并且具有除空气外的介电材料，每个FDP的近端被设置在衬底上；接近每个FDP设置第二介电部分SDP，每个SDP具有近端和远端，每个SDP的近端被设置成接近对应FDP的远端，每个SDP具有除空气外的介电材料，每个FDP的介电材料的平均介电常数大于对应SDP的介电材料的平均介电常数，每个FDP和对应SDP形成介电结构。

实施方式包括电磁介电透镜，其具有：由至少一个介电材料形成的至少一个透镜部分，其中，所述至少一个透镜部分具有由至少一个介电材料的边界来界定轮廓的腔。

根据以下结合附图对本发明的详细描述，本发明的上述特征和优点以及其他特征和优点将非常明显。

附图说明

参照示例的非限制性附图，其中，在附图中相似元件被类似地标记：

图1A描绘了根据实施方式的电磁EM器件的单格的旋转透视图；

图1B描绘了根据实施方式的图1A的单格的侧视图；

图1C描绘了根据实施方式的作为图1A所绘单格的替选的单格的旋转透视图；

图1D描绘了根据实施方式的图1C的单格的侧视图；

图2描绘了根据实施方式的与图1B和图1D的单格类似但作为其替选的单格的侧视图；

图3描绘了根据实施方式的与图1B、图1D和图2的单格类似但作为其替选的单格的侧视图；

图4描绘了根据实施方式的图1B的多个单格的M×N阵列(其中M＝6)的侧视图；

图5A描绘了根据实施方式的图1B的多个单格的M×N阵列(其中M＝2)的侧视图；

图5B描绘了根据实施方式的图5A的MxN阵列的组件被拆卸开的侧视图；