[发明专利]具有电镀区域的引线框架管芯桨状件

权利要求书

1.一种装置，包括：

引线框架桨状件，所述引线框架桨状件被配置用于安装半导体管芯；

电镀区域，所述电镀区域在所述引线框架桨状件上形成，所述电镀区域被配置为接收来自放置在所述引线框架桨状件上的半导体管芯的下接合；和

暴露间隙，所述暴露间隙位于所述电镀区域的外边缘与所述引线框架桨状件的外边缘之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述电镀区域由银形成。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的装置，其中所述暴露间隙由铜形成。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的装置，其中所述电镀区域形成为围绕所述引线框架桨状件的周边的环。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的装置，还包括所述电镀区域内的中空部分，其中所述中空部分位于放置在所述引线框架桨状件上的所述半导体管芯的下方。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的装置，其中所述电镀区域被形成为在所述引线框架桨状件上的矩形，所述矩形与所述引线框架桨状件的周边同延。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的装置，还包括多个附加电镀区域，其中每个附加电镀区域包括在所述附加电镀区域的外边缘与所述引线框架桨状件的所述外边缘之间的另外的暴露间隙。

8.一种集成电路封装，包括：

根据权利要求1-7中任一项所述的装置，和

半导体管芯，所述半导体管芯安装在所述引线框架桨状件上。

9.一种构建集成电路封装的方法，所述方法包括:

形成引线框架桨状件；

在所述引线框架桨状件上形成电镀区域；

在所述电镀区域的外边缘与所述引线框架桨状件的外边缘之间形成暴露间隙；

将半导体器件安装在所述引线框架桨状件上；以及

形成从所述半导体管芯到所述电镀区域的下接合。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述电镀区域由银形成。

11.根据权利要求9-10中任一项所述的方法，其中所述暴露间隙由铜形成。

12.根据权利要求9-11中任一项所述的方法，还包括将所述电镀区域形成为围绕所述引线框架桨状件的周边的环。

13.根据权利要求9-12中任一项所述的方法，还包括将所述电镀区域形成为在所述引线框架桨状件上的矩形，所述矩形与所述引线框架桨状件的周边同延。

14.根据权利要求9-13中任一项所述的方法，还包括：

在所述引线框架桨状件上形成多个附加电镀区域，其中每个附加电镀区域包括在所述附加电镀区域的外边缘与所述引线框架桨状件的所述外边缘之间的另外的暴露间隙；以及

形成从所述半导体管芯到所述附加电镀区域中的每个附加电镀区域的下接合。

15.根据权利要求9-14中任一项所述的方法，还包括将所述电镀区域形成为在所述引线框架桨状件上的矩形，所述矩形与所述引线框架桨状件的周边同延。

16.一种通过根据权利要求9-15中任一项所述的方法形成的半导体器件。

17.一种通过根据权利要求9-15中任一项所述的方法形成的装置。