[发明专利]具有电镀区域的引线框架管芯桨状件

说明书

本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括被配置用于安装半导体管芯(108)的引线框架桨状件(114、312、412、512)。该半导体器件还包括形成在引线框架桨状件(114、312、412、512)上的电镀区域(304、404A‑404I、504)。该电镀区域(304、404A‑404I、504)被配置为从放置在引线框架桨状件(114、312、412、512)上的半导体管芯(108)接收下接合的焊丝(110)。半导体器件还包括电镀区域(304、404A‑404I、504)的外边缘与引线框架桨状件(114、312、412、512)的外边缘之间的暴露间隙。

申请优先权

本申请要求2018年1月17日提交的美国临时专利申请62/618,347的优先权，所述申请的内容据此全文并入。

技术领域

本公开涉及半导体制造，并且更具体地涉及用于银连接的半导体器件中的下接合(down bond)。

背景技术

半导体器件、集成电路、片上系统(SoC)和其他电子器件可以在芯片封装中制造。芯片封装可以包括连接件和结构，以将封装内的半导体元件连接到封装内的其他部件和外部元件。为了经由引线、引脚、管芯焊盘和类似连接件来连接半导体元件，封装可以包括引线框架。引线框架可以由金属薄层制成。引线框架可以包括半导体元件可以附接到其上的焊盘或桨状件。半导体元件可以置于引线框架的焊盘或桨状件上。

可以在芯片封装内制造多种连接件以连接封装中的各种元件。此类连接件可以包括焊线、下接合和环氧树脂。

分层是一种可能影响芯片封装中的连接件的状况。分层可以包括封装内的两种材料之间的分离。分层可能导致失效。某些区域中的分层导致可靠性风险，并且可能导致其他失效。此类其他失效可以包括管芯腐蚀、封装破裂、接合脱离以及接合的颈部或根部的断裂。分层还可能通过改变各种操作参数而导致集成电路故障。

发明内容

本公开的实施方案包括装置。该装置可以包括被配置用于安装半导体管芯的引线框架桨状件。该装置还可以包括形成于引线框架桨状件上的电镀区域。该电镀区域可以被配置为从置于引线框架桨状件上的半导体管芯接收下接合。装置可以包括暴露间隙，该暴露间隙位于电镀区域的外边缘与引线框架桨状件的外边缘之间。结合上述实施方案中的任一个，电镀区域可以由银形成。结合上述实施方案中的任一个，暴露间隙可以由铜形成。结合上述实施方案中的任一个，电镀区域可以形成为围绕引线框架桨状件的周边的环。结合上述实施方案中的任一个，装置还可以包括电镀区域内的中空部分，其中中空部分位于放置在引线框架桨状件上的半导体管芯的下方。结合上述实施方案中的任一个，电镀区域可以形成为引线框架桨状件上的矩形，矩形与所述引线框架桨状件的周边同延。结合上述实施方案中的任一个，装置还可以包括附加电镀区域，其中每个附加电镀区域包括在该附加电镀区域的外边缘与引线框架桨状件的外边缘之间的另外的暴露间隙。

本公开的实施方案包括一种集成电路封装。集成电路封装可以包括被配置用于安装半导体管芯的引线框架桨状件。集成电路封装还可以包括形成在引线框架桨状件上的电镀区域。电镀区域可以被配置为从置于引线框架桨状件上的半导体管芯接收下接合。集成电路封装可以包括暴露间隙，暴露间隙位于电镀区域的外边缘与引线框架桨状件的外边缘之间。结合上述实施方案中的任一个，电镀区域可以由银形成。结合上述实施方案中的任一个，暴露间隙可以由铜形成。结合上述实施方案中的任一个，电镀区域可以形成为围绕引线框架桨状件的周边的环。结合上述实施方案中的任一个，集成电路封装还可以包括电镀区域内的中空部分，其中该中空部分位于放置在引线框架桨状件上的半导体管芯的下方。结合上述实施方案中的任一个，电镀区域可以形成为引线框架桨状件上的矩形，该矩形与引线框架桨状件的周边同延。结合上述实施方案中的任一个，集成电路封装还可以包括附加电镀区域，其中每个附加电镀区域包括在附加电镀区域的外边缘与引线框架桨状件的外边缘之间的另外的暴露间隙。