[发明专利]硅晶圆的制造方法在审
| 申请号： | 201980008674.7 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN111615741A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 大关正彬;五十岚健作;阿部达夫 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B1/00;B24B37/04;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅晶圆的制造方法，在粗研磨步骤与精研磨步骤之间具有干式蚀刻步骤，其特征在于，
在所述干式蚀刻步骤中，以0.3μm/min以下的蚀刻速率对所述粗研磨步骤后的硅晶圆进行干式蚀刻。
2.根据权利要求1所述的硅晶圆的制造方法，其特征在于，进行所述干式蚀刻步骤之前的所述粗研磨步骤为双面研磨步骤。
3.根据权利要求1或2所述的硅晶圆的制造方法，其特征在于，进行所述干式蚀刻步骤之后的所述精研磨步骤为单面研磨步骤。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的硅晶圆的制造方法，其特征在于，在所述粗研磨步骤中，使用与在所述精研磨步骤中使用的研磨布相比具有更高硬度的研磨布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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