[发明专利]贴合晶圆的制造方法及贴合晶圆在审
| 申请号： | 201980008949.7 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111788656A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 佐藤洋三;小佐佐和明 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贴合 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.贴合晶圆的制造方法，其为隔着绝缘膜来贴合支承基板用晶圆和活性层用晶圆而制造贴合晶圆的方法，所述贴合晶圆的制造方法的特征在于，包括：
多晶硅堆积工序，在所述支承基板用晶圆的贴合面侧堆积多晶硅层；
多晶硅层研磨工序，使用研磨布来研磨所述多晶硅层的表面；
绝缘膜形成工序，在所述支承基板用晶圆及所述活性层用晶圆中的至少一个晶圆的贴合面上形成所述绝缘膜；及
贴合工序，隔着所述绝缘膜来贴合所述支承基板用晶圆的所述多晶硅层的研磨面与所述活性层用晶圆，
当将所述研磨布的沉入量以沉入量(μm)＝研磨布的厚度(μm)×压缩率(％/(N/cm2))×荷载(N/cm2)来定义时，
所述研磨布的沉入量为50～90μm，并且所述研磨布的表面硬度为50～60。
2.根据权利要求1所述的贴合晶圆的制造方法，其中，
所述研磨布是由基材和绒毛层构成的绒面垫。
3.根据权利要求2所述的贴合晶圆的制造方法，其中，
所述基材的厚度为0.15～0.20mm。
4.一种贴合晶圆，其具有堆积于支承基板用晶圆上的多晶硅晶圆层，
所述贴合晶圆的特征在于，
所述多晶硅晶圆层的厚度偏差Δt为5％以下，
在研磨所述多晶硅晶圆层之后的所述支承基板用晶圆的GBIR为0.2μm以下，SFQR为0.06μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
