[发明专利]贴合晶圆的制造方法及贴合晶圆

说明书

在本发明的贴合晶圆的制造方法中，研磨布的沉入量为50～90μm，并且所述研磨布的表面硬度(ASKER C)为50～60。在本发明的贴合晶圆中，多晶硅晶圆层的厚度偏差Δt为5％以下，在研磨所述多晶硅晶圆层之后的支承基板用晶圆的GBIR为0.2μm以下，SFQR为0.06μm以下。

技术领域

本发明涉及一种贴合晶圆的制造方法及贴合晶圆。

背景技术

以往，提出有一种贴合晶圆，其通过在植入氧化膜的正下方设置作为载体的俘获层的多晶硅层而成(所谓的trap-rich型贴合SOI晶圆)。

上述贴合SOI晶圆隔着绝缘膜即氧化膜来贴合活性层用晶圆与具有多晶硅层的支承基板用晶圆而制作。在这种贴合晶圆中，有时会因多晶硅层的表面特性等而在贴合面上产生孔隙等。因此，为了抑制在贴合面上产生孔隙而进行多晶硅层的研磨(例如，参考专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-136591号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在如上所述的多晶硅层的研磨中，希望研磨后的多晶硅层的厚度偏差小、微小缺陷少，并且支承基板用晶圆的平坦性高。

因此，本发明的目的在于提供一种贴合晶圆的制造方法及贴合晶圆，所述贴合晶圆的制造方法能够得到具有厚度偏差小、微小缺陷少、平坦性高的多晶硅层的支承基板用晶圆，所述贴合晶圆由具有厚度偏差小、微小缺陷少、平坦性高的多晶硅层的支承基板用晶圆构成。

用于解决技术问题的方案

本发明的主旨方案为如下。

本发明的贴合晶圆的制造方法是隔着绝缘膜来贴合支承基板用晶圆与活性层用晶圆而制造贴合晶圆的方法，所述贴合晶圆的制造方法的特征在于，包括：

多晶硅堆积工序，在所述支承基板用晶圆的贴合面侧堆积多晶硅层；

多晶硅层研磨工序，使用研磨布来研磨所述多晶硅层的表面；

绝缘膜形成工序，在所述支承基板用晶圆及所述活性层用晶圆中的至少一个晶圆的贴合面上形成所述绝缘膜；及

贴合工序，隔着所述绝缘膜来贴合所述支承基板用晶圆的所述多晶硅层的研磨面与所述活性层用晶圆，

当将所述研磨布的沉入量以沉入量(μm)＝研磨布的厚度(μm)×压缩率(％/(N/cm²))×荷载(N/cm²)来定义时，

所述研磨布的沉入量为50～90μm，并且所述研磨布的表面硬度(ASKER C)为50～60。

在此，“研磨布的表面硬度(ASKER C)”通过ASKER C硬度计来测量。

在本发明的贴合晶圆的制造方法中，所述研磨布优选为由基材和绒毛层构成的绒面垫。

在上述情况下，所述基材的厚度优选为0.15～0.20mm。

本发明的贴合晶圆的特征在于，具有堆积于支承基板用晶圆上的多晶硅晶圆层，

所述多晶硅晶圆层的厚度偏差Δt为5％以下，

在研磨所述多晶硅晶圆层之后的所述支承基板用晶圆的GBIR为0.2μm以下，SFQR为0.06μm以下。