[发明专利]包含光敏部分的嵌段共聚物

说明书

本申请可以提供嵌段共聚物及其用途。本申请可以提供嵌段共聚物及其用途。本申请的嵌段共聚物可以具有优异的自组装特性或相分离特性，并且同时具有能够改变首先形成的自组装结构的特性，或者提供能够在聚合物膜中形成相分离结构的图案的嵌段共聚物。

技术领域

本申请要求于2018年1月26日提交的韩国专利申请第10-2018-0010050号的申请日的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

本申请涉及包含光敏部分的嵌段共聚物。

背景技术

嵌段共聚物具有其中具有不同化学结构的聚合物嵌段经由共价键连接的分子结构。嵌段共聚物可以通过相分离形成周期性排列的结构，例如球状、柱状、螺旋状或层状。可以广泛地控制通过嵌段共聚物的自组装现象形成的结构的区域尺寸并且可以制造各种类型的结构，使得嵌段共聚物可以应用于高密度磁存储介质、纳米线制造、各种下一代纳米装置(例如量子点或金属点或磁记录介质)或通过光刻的图案形成等。

发明内容

技术问题

本申请提供了嵌段共聚物及其用途。

技术方案

本申请提供了以下实施方案。

实施方案1.一种嵌段共聚物，包含第一聚合物链段、第二聚合物链段和第三聚合物链段，

其中所述嵌段共聚物具有所述第一聚合物链段、所述第二聚合物链段和所述第三聚合物链段共价键合至一个连接点同时共用所述连接点的星形结构，

将所述第一聚合物链段、所述第二聚合物链段和所述第三聚合物链段中的至少一个聚合物链段连接至所述连接点的连接基团为可断裂连接基团，以及

所述第一聚合物链段至所述第三聚合物链段中的至少一者包含乙烯基吡啶单元。

实施方案2.根据实施方案1所述的嵌段共聚物，其中所述第一聚合物链段至所述第三聚合物链段中的两个聚合物链段彼此相同，另一聚合物链段与所述两个聚合物链段不同，并且与所述两个聚合物链段不同的聚合物链段包含乙烯基吡啶单元。

实施方案3.根据实施方案2所述的嵌段共聚物，其中在所述第一聚合物链段至所述第三聚合物链段中的彼此相同的链段中，组成单体单元的50％或更多彼此相同，并且相应链段中的相同单体的差异在20重量％以内。

实施方案4.根据实施方案2所述的嵌段共聚物，其中在所述第一聚合物链段至所述第三聚合物链段中的彼此相同的链段中，各聚合物链段的溶解度参数的偏差在10％以内。

实施方案5.根据实施方案2所述的嵌段共聚物，其中所述第一聚合物链段至所述第三聚合物链段中彼此相同的两个链段中的任一者通过所述可断裂连接基团连接至所述连接点。

实施方案6.根据实施方案1所述的嵌段共聚物，其中所述第一聚合物链段至所述第三聚合物链段中的任一者包含乙烯基吡啶单元，并且另外两个链段包含苯乙烯单元。

实施方案7.根据实施方案1所述的嵌段共聚物，其中所述可断裂连接基团包含2-硝基苄基、香豆素基或芘基烷基。

实施方案8.根据实施方案1所述的嵌段共聚物，其中数均分子量在1000至1000000的范围内。

实施方案9.根据实施方案1所述的嵌段共聚物，其中分子量分布在1.01至2的范围内。

实施方案10.一种聚合物膜，包含根据实施方案1所述的嵌段共聚物，其中，所述嵌段共聚物是自组装的。

实施方案11.根据实施方案10所述的聚合物膜，其中同时存在选自以下的两个或更多个相分离结构：球状结构、柱状结构、螺旋状结构和层状结构。