[发明专利]用于形成无源电器件的方法

权利要求书

1.一种用于形成无源电器件的方法，包括：

在延伸穿过印刷电路板的过孔的侧壁上沉积光反应性层；

将具有掩模的光导管插入到所述过孔的整个深度，所述掩模被配置为在所述过孔内提供无源电器件几何结构；以及

将所述光反应性层暴露于由所述光导管提供的辐射，以在所述过孔的所述侧壁上提供具有所述无源电器件几何结构的图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述过孔的所述侧壁上沉积所述光反应性层之前，导电材料存在于所述过孔的所述侧壁上，且暴露所述光反应性层提供具有无源电器件几何结构的第一蚀刻掩模，所述第一蚀刻掩模暴露所述导电材料的待移除部分。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括蚀刻由所述第一蚀刻掩模暴露的所述导电材料的部分，其中所述导电材料的剩余部分在所述过孔内提供所述无源电器件的导电特征。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述光导管上的所述掩模具有沿着所述光导管的整个长度延伸的第一线圈几何结构，所述光导管被插入到所述过孔的整个深度中，其中无源电器件是第一线圈电感器结构。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括在形成所述第一线圈电感器结构之后在所述过孔中沉积第一电介质填充物。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括在所述第一线圈电感器结构中基本上居中定位的所述电介质填充物中形成铁磁芯。

7.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在所述第一电介质填充物中形成开口；

在所述第一电介质填充物的侧壁上形成导电层；

在所述导电层上形成光致抗蚀剂层；

将掩蔽的光导管插入所述开口内，所述掩蔽的光导管将所述光致抗蚀剂层暴露于辐射并且将所述光致抗蚀剂掩模图案化为具有第二线圈几何结构的几何结构的第二蚀刻掩模；以及

蚀刻所述导电层的由所述第二蚀刻掩模暴露的部分，其中所述导电层的剩余部分在所述过孔内提供所述无源电器件的所述第二线圈几何结构。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述过孔的相对侧上形成电极，其中每个电极与存在于所述过孔的所述无源电器件的导电特征电连通。

9.根据权利要求3所述的方法，其中所述蚀刻由所述第一蚀刻掩模暴露的所述导电材料的所述部分提供所述导电材料的剩余部分，所述导电材料的所述剩余部分在所述过孔的基本上相对的侧壁上提供两个分离的导电电极。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括形成电阻元件，所述电阻元件填充所述两个分离的导电电极之间的剩余开口，以使所述无源电器件为电阻器。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括形成节点电介质，所述节点电介质填充两个分离的导电电极之间的剩余开口，以使所述无源电器件为电容器。