[发明专利]通过脉冲或轮廓点加热执行的外延(EPI)厚度调节有效
申请号: | 201980009926.8 | 申请日: | 2019-02-12 |
公开(公告)号: | CN111630650B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 刘树坤;叶祉渊;朱作明;尼欧·谬;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;舒伯特·楚 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 脉冲 轮廓 加热 执行 外延 epi 厚度 调节 | ||
1.一种处理腔室,包含:
用于处理容积的外壳;
在该外壳内的可旋转支撑件,该可旋转支撑件具有延伸到该外壳的外部的轴;
设置在该轴上并位于该外壳的外部的一个或多个信号特征;
在该外壳内的能量模块,其中该轴延伸通过该能量模块;
耦合到该外壳的一个或多个定向能量源;及
邻近该信号特征定位的一个或多个信号器,每个信号器对应于该定向能量源中的至少一个。
2.如权利要求1所述的处理腔室,其中该一个或多个信号特征中的每一个是一个或多个反射表面,并且对应的信号器包括照明器和光接收器。
3.如权利要求2所述的处理腔室,其中该照明器是激光器,并且该光接收器是光电二极管电路。
4.如权利要求1所述的处理腔室,其中该一个或多个定向能量源包括准直器、激光器和电源,该准直器附接到该外壳中的开口,该激光器光纤耦合到该准直器,该电源耦合到该激光器。
5.如权利要求4所述的处理腔室,其中该一个或多个信号特征耦合到该电源。
6.如权利要求4所述的处理腔室,其中该一个或多个信号特征中的每一个是从该轴延伸的突起,并且该一个或多个信号器包括物理开关,该物理开关被定位为当该可旋转支撑件旋转时接触该突起。
7.如权利要求6所述的处理腔室,其中该物理开关使该电源通电。
8.如权利要求1所述的处理腔室,其中该一个或多个信号特征包含在该轴上的多个反射条带。
9.如权利要求8所述的处理腔室,进一步包含耦合到该可旋转支撑件的多个提升销,每个提升销位于角位置处,并且该反射条带位于该轴上且位于该提升销的该角位置处。
10.如权利要求1所述的处理腔室,其中该一个或多个定向能量源是多个定向能量源,该一个或多个信号器是多个信号器,并且每个信号器耦合到该一个或多个定向能量源中的对应的一个。
11.如权利要求10所述的处理腔室,其中该一个或多个信号特征中的每一个包括多个信号元件,并且该一个或多个信号器中的每一个被定位为邻近对应的信号元件。
12.一种处理腔室,包含:
用于处理容积的一外壳;
在该外壳内的可旋转支撑件,该可旋转支撑件具有延伸到该外壳的外部的轴;
在该外壳内的能量模块,其中该轴延伸通过该能量模块;
耦合到该轴的旋转致动器;
耦合到该外壳的定向能量源;
耦合到该旋转致动器和该定向能量源的控制器,该控制器被配置为使该可旋转支撑件的旋转与该定向能量源的操作同步;
耦合到该控制器的信号器;及
多个信号特征,该多个信号特征设置在该轴上并且被分组为多个组,该多个信号特征中的每一个操作地耦合到该信号器。
13.如权利要求12所述的处理腔室,其中该定向能量源包括耦合到电源的辐射源,并且该控制器被配置为使该电源通电。
14.如权利要求13所述的处理腔室,其中该辐射源是激光器。
15.如权利要求14所述的处理腔室,其中该激光器光纤耦合到准直器,该激光器耦合到该外壳。
16.如权利要求12所述的处理腔室,其中该控制器被配置为基于由于该处理腔室的操作所导致的系统处理不均匀性来使该可旋转支撑件的旋转与该定向能量源的操作同步。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造