[发明专利]通过脉冲或轮廓点加热执行的外延（EPI）厚度调节

说明书

本文描述的实施方式提供处理腔室，该处理腔室包含：用于处理容积的外壳；外壳内的可旋转支撑件，该支撑件具有延伸到外壳外部的轴，其中该轴具有位于处理容积外部的信号特征；外壳内的能量模块，其中该轴延伸通过该能量模块、耦合到外壳的一个或多个定向能量源；及邻近该信号特征定位的一个或多个信号器，每个信号器耦合到定向能量源中的至少一个。

技术领域

本发明的实施方式通常涉及具有可控加热的热处理腔室。具体地，本文描述的热处理腔室具有定向能量源，该定向能量源被配置为加热设置在用于处理基板的腔室中的基板的特定位置。

背景技术

热处理通常用于改变物体的性质。在半导体制造中，可对基板进行热处理，以改变基板的原子结构、促进材料在基板上的沉积、和/或从基板移除材料或促进材料的移除。在某种程度上热处理对热处理的温度是敏感的，因此在处理期间基板上的温度不均匀性可能导致处理结果的不均匀性。例如，若在热处理期间将材料沉积在基板上，则沉积速率可取决于基板的局部温度或基板表面附近的位置处的局部温度。沉积速率的差异可能导致跨越基板的沉积的材料的厚度的差异，其可能导致在基板上形成的装置的功能性上的不可接受的不均匀性。

在处理期间基板上的温度不均匀性可由处理腔室中的各种结构的热学和光学性质产生，诸如具有不同热学和光学性质的不同物体和表面以及在腔室的处理环境内的不同取向。处理不均匀性的其他来源也可能影响处理的结果。在具有圆形或圆柱形几何形状的处理系统中，不均匀性可具有径向图案和/或方位角图案。通常通过在径向区域中的加热调整来解决不均匀性的径向图案。解决由离散腔室结构(诸如基板支撑件和运输结构)产生的方位角图案更具挑战性。

随着装置的几何尺寸的不断下降，半导体处理的均匀性要求变得更高。纳米级别的不均匀性在先进尺寸节点处越来越成问题。对于减少在热处理腔室中的处理不均匀性的处理设备和方法存在持续需求。

发明内容

本文描述的实施方式提供了一种处理腔室，包含：用于处理容积的外壳；在外壳内的可旋转支撑件，该支撑件具有延伸到外壳外部的轴，其中轴具有位于处理容积外部的信号特征；在外壳内的能量模块，其中轴延伸通过能量模块；耦合到外壳的一个或多个定向能量源；和邻近信号特征定位的一个或多个信号器，每个信号器耦合到定向能量源中的至少一个。

本文描述的其他实施方式提供了一种处理腔室，包含：用于处理容积的外壳；在外壳内的可旋转支撑件，该支撑件具有延伸到外壳外部的轴；在外壳内的能量模块，其中轴延伸通过能量模块；耦合到轴的旋转致动器；耦合到外壳的定向能量源；和耦合到旋转致动器和定向能量源的控制器，该控制器被配置为使支撑件的旋转与定向能量源的操作同步。

本文描述的其他实施方式提供了一种处理腔室，包含：用于处理容积的外壳；在外壳内的可旋转支撑件，该支撑件具有延伸到外壳外部的轴，其中轴具有多个信号特征；在外壳内的能量模块，其中轴延伸通过能量模块；耦合到外壳的一个或多个定向能量源；邻近信号特征定位的一个或多个信号器；和耦合到一个或多个信号器和一个或多个定向能量源的控制器。

附图说明

作为可详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式获得上文简要概述的本公开内容的更具体的描述，其中一些实施方式在附图中示出。然而，应注意的是，附图仅示出了示例性实施方式，而因此不应视为对保护范围的限制，并且可允许其他同等有效的实施方式。

图1是根据一个实施方式的处理腔室的示意性截面侧视图。

图2A是图1的处理腔室的一部分的详细视图。

图2B和2C是示出在图1的处理腔室中的各种信号特征的实践方式的示意性配置视图。

图3A是根据另一实施方式的处理腔室的局部横截面视图。

图3B是图3A的处理腔室的示意性俯视图。

图3C是根据另一实施方式的处理腔室的示意性俯视图。