[发明专利]选择性沉积的聚对二甲苯掩模

权利要求书

1.一种于基板的图案化表面上选择性沉积掩模层的方法，所述方法包含以下步骤：

将所述基板定位于处理腔室的处理容积中的基板支撑件上，其中所述基板的所述图案化表面包含介电层及设置于所述介电层中的多个第一金属特征；

将所述图案化表面暴露于聚对二甲苯单体气体；

选择性地沉积包含聚对二甲苯的第一层至所述介电层的表面上；和

沉积第二层至所述多个第一金属特征上。

2.如权利要求1所述的方法，其中将所述图案化表面暴露于所述聚对二甲苯单体气体步骤包含以下步骤：使所述聚对二甲苯单体气体流入所述处理容积中同时旋转设置于其中的所述基板。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述聚对二甲苯单体气体包含气相聚对二甲苯二聚体的热解反应产物。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层包含聚对二甲苯N、聚对二甲苯D、聚对二甲苯C、聚对二甲苯HT，或上述的组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述多个第一金属特征包含选自以下金属所组成的群组的聚对二甲苯沉积抑制剂金属：Ta、Fe、Ru、W、Co、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Mo、Au，及上述的组合。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述介电层包含Si、SiO₂、SiN_xO_y、SiN、SiOC、SiC、一或多种Si低k聚合物、一或多种高K介电材料，或上述的组合。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述介电层包含铝(Al)、铪(Hf)、镧(La)或锆(Zr)的氧化物、氮氧化物或硅氮化物中的一种或组合。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述介电层包含基于铪(Hf)的氧化物、氮氧化物或硅氮化物中的一种或组合。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二层包含金属，且其中沉积所述第二层形成于所述多个第一金属特征上设置的多个第二金属特征。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述多个第二金属特征实质上与所述多个第一金属特征于两者的界面表面对准。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述多个第二金属特征实质上于设置于其下的所述多个第一金属特征的表面上置中。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述第二层包含介电材料，且其中沉积所述第二层形成于所述多个第一金属特征上设置的多个介电特征。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述多个介电特征实质上与所述多个第一金属特征于两者的界面表面对准。

14.一种自对准的图案化掩模，包含：

聚对二甲苯层，所述聚对二甲苯层直接地沉积至图案化基板的表面上，其中所述聚对二甲苯层包含多个聚对二甲苯特征及多个开口，其中所述图案化基板包含介电层及多个金属特征，其中所述多个金属特征包含聚对二甲苯沉积抑制剂金属，及其中所述多个聚对二甲苯特征直接地于所述介电层的介电表面上选择性形成。

15.如权利要求14所述的自对准图案化掩模，其中所述聚对二甲苯层包含聚对二甲苯N。