[发明专利]选择性沉积的聚对二甲苯掩模

说明书

于此提供于图案化基板的表面上选择性地沉积掩模层的方法和自对准图案化掩模。于一个实施方式中，选择性沉积掩模层的方法包括以下步骤：将图案化基板定位于处理腔室的处理容积中的基板支撑件上；将图案化基板的表面暴露于聚对二甲苯单体气体；于图案化基板上形成第一层，其中第一层包含图案化的聚对二甲苯层；和于第一层上沉积第二层。于另一实施方式中，自对准的图案化掩模包含聚对二甲苯层，聚对二甲苯层包含多个聚对二甲苯特征及多个开口，聚对二甲苯层设置于图案化基板上，图案化基板包含介电层及多个金属特征，多个金属特征包含聚对二甲苯沉积抑制剂金属，及多个聚对二甲苯特征选择性形成于介电层的介电表面上。

技术领域

于此描述的实施方式一般地涉及半导体装置制造领域，特别是，于此的实施方式涉及图案化的聚对二甲苯掩模层，和形成图案化的聚对二甲苯掩模层的方法。

背景技术

针对半导体装置的下一代超大规模集成电路(VLSI)及特大规模集成电路(ULSI)，可靠地生产亚半微米及更小特征为关键技术挑战之一。随着电路技术的限制推进，VLSI及ULSI技术中的缩减的尺寸已对处理能力增加额外的需求。

因为用于下一代装置的电路密度增加，诸如通孔、沟道、接点、栅极结构及其他特征的互连件的宽度降低至22nm或更小的尺寸。设置于特征之间的介电材料的尺寸同样地缩减，而且与常规光刻法相关的边缘放置误差(EPE)变得更有问题。常规光刻法一般地包括步骤：于基板的待图案化表面上沉积掩模层；于掩模层中形成多个开口以形成图案化的掩模层；和通过穿过图案化掩模层中的开口自基板的表面移除材料或穿过图案化掩模层中的开口沉积材料于基板的表面上，而于基板上形成图案化表面。半导体装置典型地包含多个图案化的材料层，其中各图案化的材料层具有形成于其中或其上的多个特征且其中使用多个光刻步骤来形成各层。在形成于掩模中的开口的、及因此穿过所述掩模而形成的特征的实际位置不同于预期的位置从而造成形成于多层中的特征之间的失准时，发生边缘放置误差。遗憾地，随着电路密度增加及特征大小缩减，针对边缘放置误差的缩减的容限推进常规光刻工艺的限值。

因此，所属技术领域需要消除和、或实质上减少多层半导体装置形成期间特征对准的误差的图案化掩模，及形成图案化掩模的方法。

发明内容

本公开内容大致上提供自对准的图案化聚对二甲苯掩模层，和形成图案化的聚对二甲苯掩模层的方法。

于可与在此描述的一或多个其他实施方式组合的一些实施方式中，于基板的图案化表面上选择性沉积掩模层的方法包括以下步骤：将基板定位于处理腔室的处理容积中的基板支撑件上，其中基板的图案化表面包含介电层及设置于介电层中的多个第一金属特征；将图案化表面暴露于聚对二甲苯单体气体；选择性地沉积包含聚对二甲苯的第一层至介电层的表面上；和沉积第二层至多个第一金属特征上。

于可与在此描述的一或多个其他实施方式组合的一些实施方式中，于基板的图案化表面上选择性沉积掩模层的方法包括以下步骤：将图案化基板定位于处理腔室的处理容积中的基板支撑件上，其中图案化基板的表面包括介电层及设置于介电层中的多个第一金属特征，其中多个第一金属特征包含选自以下金属组成群组的聚对二甲苯沉积抑制剂金属：Ta、Fe、Ru、W、Co、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Mo，及上述的组合；使聚对二甲苯单体气体流入处理容积中同时旋转设置于其中的图案化基板；将图案化基板的表面暴露于聚对二甲苯单体气体；于图案化基板上形成第一层，其中第一层包含图案化的聚对二甲苯层，及其中形成图案化的聚对二甲苯层包含于介电层的介电表面上选择性沉积的多个聚对二甲苯特征；和于第一层上沉积第二层。

于可与在此描述的一或多个其他实施方式组合的一些实施方式中，自对准的图案化掩模以聚对二甲苯层为特征，所述聚对二甲苯层直接地沉积至图案化基板的表面上，其中聚对二甲苯层包含多个聚对二甲苯特征及多个开口，其中图案化基板包含介电层及多个金属特征，其中多个金属特征包含聚对二甲苯沉积抑制剂金属，及其中多个聚对二甲苯特征直接于介电层的介电表面上选择性形成。

附图说明