[发明专利]位置对准方法以及位置对准装置有效
申请号: | 201980010298.5 | 申请日: | 2019-04-11 |
公开(公告)号: | CN111656487B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 三石创;福田稔;菅谷功 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/68 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;金雪梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位置 对准 方法 以及 装置 | ||
1.一种位置对准方法,是对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准方法,包含:
测量从配置于上述两个基板中的至少一个基板上的多个标记中选择出的标记的位置的阶段;以及
基于测量出的上述标记的位置,对上述两个基板进行位置对准的阶段,
被测量的上述标记是基于与上述至少一个基板的形变相关的信息来选择。
2.根据权利要求1所述的位置对准方法,其中,
上述选择的阶段基于由上述一个基板的变形引起的位移来选择上述标记。
3.根据权利要求2所述的位置对准方法,其中,
上述多个标记的每一个标记的位移的值与相对于上述一个基板的设计位置的位移的实际测量值相对应。
4.根据权利要求2所述的位置对准方法,其中,
上述多个标记的每一个标记的位移的值基于上述一个基板的解析结果以及制造工序条件的至少一方来预测。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的位置对准方法,其中,
上述选择的阶段基于在上述一个基板上产生的变形的再现性来选择上述标记。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的位置对准方法,其中,
上述选择的阶段选择由在上述一个基板上产生的变形引起的位移的至少一部分抵消的上述标记的组合。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的位置对准方法,其中,
在上述位置对准的阶段,考虑由在上述一个基板上产生的变形的非线性成分引起的所选择的上述标记的位移来进行位置对准。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的位置对准方法,其中,
上述选择标记的阶段包含:在与上述一个基板的面方向平行的第一方向选择表示上述一个基板的位置的第一标记的阶段;以及在与上述一个基板的面方向平行并与上述第一方向交叉的第二方向选择表示上述一个基板的位置的第二标记的阶段,上述第二标记包含与上述第一标记不同的标记,
上述位置对准的阶段分别包含:使用上述第一标记进行位置对准的阶段;以及使用上述第二标记进行位置对准的阶段。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的位置对准方法,其中,
在上述一个基板是包含层叠的多个基板的层叠基板的情况下,在上述一个基板上所配置的上述多个标记中以将上述两个基板中的另一个基板与上述一个基板进行位置对准的目的所选择的上述标记包含与对上述一个基板所包含的上述多个基板进行位置对准的情况下所使用的标记不同的标记。
10.根据权利要求9所述的位置对准方法,其中,
将上述两个基板的另一个基板与上述一个基板进行位置对准时所使用的上述标记的数量与在上述一个基板上层叠上述多个基板的情况下所使用的标记的数量不同。
11.一种基板层叠方法,包含:
通过权利要求1~10中任一项所述的位置对准方法对两个基板进行位置对准的阶段;以及
接合被位置对准的上述两个基板的阶段。
12.一种位置对准方法,是对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准方法,包含:
测量在上述两个基板的至少一个基板上所配置的多个标记的位置的阶段;以及
基于测量出的上述多个标记的位置,对上述两个基板进行位置对准的阶段,
上述多个标记是配置于上述至少一个基板的形变量小于阈值的区域的标记。
13.一种位置对准方法,是对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准方法,包含:
测量在上述两个基板的至少一个基板上所配置的多个标记的位置的阶段;
基于测量出的上述多个标记的位置,对上述两个基板进行位置对准的阶段,
上述多个标记是配置于在上述至少一个基板上产生的形变的再现性大于阈值的区域的标记。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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