[发明专利]位置对准方法以及位置对准装置有效
申请号: | 201980010298.5 | 申请日: | 2019-04-11 |
公开(公告)号: | CN111656487B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 三石创;福田稔;菅谷功 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/68 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;金雪梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位置 对准 方法 以及 装置 | ||
本发明提供一种对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准方法,包含:测量从配置于两个基板中的至少一个基板的多个标记中选择出的标记的位置的阶段;以及基于测量出的标记的位置,对两个基板进行位置对准的阶段,被测量的标记基于与至少一个基板的形变相关的信息来选择。标记也可以是配置于至少一个基板的形变量小于阈值的区域的标记。标记也可以是配置于在至少一个基板上产生的形变的再现性大于阈值的区域的标记。
技术领域
本发明涉及位置对准方法以及位置对准装置。
背景技术
有一种基于基板上所配置的标记的位置,将掩模图案等其它部件相对于该基板进行位置对准的方法(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2013-118369号公报
若将形成于基板的所有标记用于针对其它部件的位置对准,则需要庞大的处理负荷。另一方面,若选择比形成于基板的标记的总数少的数量的标记,并使用选择出的标记进行位置对准,则根据选择的方法会存在针对其它部件的位置对准精度降低的情况。
发明内容
在本发明的第一方式中,是对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准方法,包含:测量从两个基板中的至少一个基板上所配置的多个标记中选择出的标记的位置的阶段;以及基于测量出的标记的位置,对两个基板进行位置对准的阶段,被测量的标记基于与至少一个基板的形变相关的信息来选择。
在本发明的第二方式中,是对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准方法,包含:测量在两个基板的至少一个基板上所配置的多个标记的位置的阶段;以及基于测量出的多个标记的位置,对两个基板进行位置对准的阶段,多个标记是配置于至少一个基板的形变量小于阈值的区域的标记。
在本发明的第三方式中,是对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准方法,包含:测量在两个基板的至少一个基板上所配置的多个标记的位置的阶段;以及基于测量出的多个标记的位置,对两个基板进行位置对准的阶段,多个标记是配置于在至少一个基板上产生的形变的再现性大于阈值的区域的标记。
在本发明的第四方式中,是对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准装置,包含:测量部,测量在两个基板的一个基板上所配置的多个标记中,基于与在至少一个基板上产生的形变相关的信息而选择出的标记的位置;以及位置对准部,基于测量部测量出的标记的位置,对两个基板进行位置对准。
在本发明的第五方式中,是对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准装置,具备:测量部,测量在两个基板中的一个基板上所配置的多个标记的位置;以及位置对准部,基于测量部测量出的多个标记的位置,对两个基板进行位置对准,多个标记是配置于至少一个基板的形变量小于阈值的区域的标记。
在本发明的第六方式中,是对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准装置,具备:测量部,测量在两个基板中的一个基板上所配置的多个标记的位置;以及位置对准部,基于测量部测量出的多个标记的位置,对两个基板进行位置对准,多个标记是配置于在至少一个基板上产生的形变的再现性大于阈值的区域的标记。
在本发明的第七方式中,提供一种基板层叠装置,具备:上述位置对准装置;以及接合部,接合通过位置对准装置进行位置对准后的两个基板。
在本发明的第八方式中,提供一种层叠基板制造系统,具备:选择部,在层叠的两个基板中的一个基板上所配置的多个标记中,基于与在至少一个基板上产生的形变相关的信息,选择要测量的标记;以及基板层叠装置,基于由选择部选择出的标记的位置,接合两个基板。
上述的发明内容并未列举出本发明的全部特征。这些特征组的子组合也可以是发明。
附图说明
图1是表示基板层叠装置100的结构的示意图。
图2是基板210、230的示意性的俯视图。
图3是表示接合部300的结构的示意性的剖视图。
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造