[发明专利]加工装置

权利要求书

1.一种加工装置，其中，

其是在加工对象物即硅中形成构成改质区域的改质点的加工装置，

该加工装置具备：

第一照射部，向所述加工对象物照射第一光，在所述加工对象物的一部分区域中使吸收率比所述第一光的照射之前暂时地上升；及

第二照射部，在所述一部分区域的吸收率暂时地上升的吸收率上升期间，向该一部分区域照射第二光，

第一光的脉冲结束时，第二光的脉冲上升，

第二光的脉冲宽度比第一光的脉冲宽度更长，

所述第二光的波长比第一光的波长更长，

所述第二光的波长为1000～8500nm，

所述第二光的M²值比所述第一光的M²值更大。

2.如权利要求1所述的加工装置，其中，

所述第二光的能量比第一光的能量高。

3.如权利要求1所述的加工装置，其中，

所述第二光的峰值强度比第一光的峰值强度低。

4.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述第二光是朝所述加工对象物单独照射该第二光时不会形成改质点的光。

5.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述第二光对于所述加工对象物的照射方向与所述第一光对于所述加工对象物的照射方向不同。

6.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述第二光的数值孔径与所述第一光的数值孔径不同。

7.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述第二光的光束轮廓与所述第一光的光束轮廓不同。

8.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述第二光的脉冲波形与所述第一光的脉冲波形不同。

9.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述第二光的偏光方向与所述第一光的偏光方向不同。

10.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述改质区域是将所述加工对象物沿着厚度方向切割的切割起点区域。

11.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述改质区域是将所述加工对象物沿着与厚度方向交叉的方向切割的切割起点区域。

12.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述改质区域是在所述加工对象物中呈二维状或是三维状延伸的去除预定区域。

13.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述改质区域是形成于所述加工对象物的内部的结晶区域、再结晶区域、或吸杂区域。

14.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述第一照射部由射出所述第一光的第一光源构成，

所述第二照射部由射出所述第二光的第二光源及控制部构成，该控制部以使所述第二光在所述吸收率上升期间朝所述一部分区域照射的方式对所述第二光源的照射时间点进行控制。

15.如权利要求1～3中任一项所述的加工装置，其中，

所述第一照射部及所述第二照射部由光源及对从所述光源射出的光进行调制的外部调制器构成，

从所述光源射出且被所述外部调制器调制的光的一部分作为所述第一光向所述加工对象物照射，

从所述光源射出且被所述外部调制器调制的光的其他部分在所述吸收率上升期间作为所述第二光朝所述一部分区域照射。