[发明专利]表面处理铜箔及覆铜积层板

权利要求书

1.一种表面处理铜箔，其于铜箔表面上具有硅烷化合物的表面处理层，且

于通过TOF-SIMS对上述硅烷化合物的表面处理层进行测定时，于选自由240.9～241.1、241.9～242.1、242.9～243.1、243.9～244.1、244.9～245.1、260.9～261.1、261.9～262.1及262.9～263.1所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到峰。

2.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，于选自由241.03、242.03、243.03、244.05、245.05、261.01、262.01及263.03所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到上述峰。

3.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，于240.9～241.1、241.9～242.1、242.9～243.1、243.9～244.1、244.9～245.1、260.9～261.1、261.9～262.1及262.9～263.1的质量数(m/z)的位置检测到上述峰。

4.如权利要求3所述的表面处理铜箔，其中，于241.03、242.03、243.03、244.05、245.05、261.01、262.01及263.03的质量数(m/z)的位置检测到上述峰。

5.如权利要求1至4中任一项所述的表面处理铜箔，其中，上述硅烷化合物为2种以上的硅烷化合物的混合物。

6.如权利要求1至4中任一项所述的表面处理铜箔，其中，上述硅烷化合物为包含N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基硅烷及3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷的混合物。

7.如权利要求1至4中任一项所述的表面处理铜箔，其中，于上述铜箔与上述硅烷化合物的表面处理层之间具有选自由耐热处理层、防锈处理层及铬酸盐处理层所组成的群中的1种以上的层。

8.如权利要求1至4中任一项所述的表面处理铜箔，其中，上述硅烷化合物的表面处理层的十点平均粗糙度Rz为0.50～1.0μm。

9.如权利要求1至4中任一项所述的表面处理铜箔，其接合于树脂基材。

10.一种覆铜积层板，其包含权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔、及接合于上述表面处理铜箔的上述硅烷化合物的表面处理层上的树脂基材。

11.如权利要求10所述的覆铜积层板，其中，上述树脂基材为液晶聚合物、低介电常数聚酰亚胺、低介电常数环氧树脂、氟树脂或聚苯醚树脂。

12.如权利要求10或11所述的覆铜积层板，其用于可挠性配线板、刚性配线板、遮蔽材、RF-ID、面状发热体或散热体。