[发明专利]表面处理铜箔及覆铜积层板

说明书

本发明涉及一种表面处理铜箔，其于铜箔表面上具有硅烷化合物的表面处理层。该表面处理铜箔于通过TOF‑SIMS对硅烷化合物的表面处理层进行测定时，于选自由240.9～241.1、241.9～242.1、242.9～243.1、243.9～244.1、244.9～245.1、260.9～261.1、261.9～262.1及262.9～263.1所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到峰。

技术领域

本发明涉及一种表面处理铜箔及覆铜积层板。

背景技术

覆铜积层板于可挠性印刷配线板等各种用途中广泛使用。该可挠性印刷配线板是通过以下方式制造：蚀刻覆铜积层板的铜箔而形成导体图案(也称为“配线图案”)，于导体图案上利用焊料连接并安装电子零件。

近年，于计算机、移动终端等电子机器中，随着通讯的高速化及大容量化，电气讯号向高频化发展，要求可与之应对的可挠性印刷配线板。尤其是由于电气讯号的频率越高频，则讯号功率的损失(衰减)越大，数据越容易变得无法读取，故而要求降低讯号功率的损失。

电子电路中的讯号功率的损失可分为两大类。其一，导体损失，即铜箔引起的损失，其二，介电体损失，即树脂基材引起的损失。

导体损失是由于在高频区域存在集肤效应，电流具有于导体的表面流通的特性，故而若铜箔表面较粗糙，则电流的流通路径变得复杂。因此，为了减少导体损失，期望减小铜箔的表面粗糙度。

另一方面，由于介电体损失取决于树脂基材的种类，故期望使用由低介电常数材料(例如，液晶聚合物、低介电常数聚酰亚胺)所形成的树脂基材。另外，由于介电体损失也受到将铜箔与树脂基材之间接着的接着剂的影响，故期望铜箔与树脂基材之间不使用接着剂而接着。

因此，为了不使用接着剂而将铜箔与树脂基材之间接着，提出对铜箔实施粗化处理、并于铜箔与树脂基材之间设置硅烷化合物的表面处理层的方法(例如，专利文献1)。铜箔的粗化处理由于在铜箔表面形成树木状的粗化粒子，故可通过投锚效应提高铜箔与树脂基材之间的接着性。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2012-112009号公报

发明内容

[发明所欲解决的课题]

然而，电沉积于铜箔表面的粗化粒子会增大因集肤效应而产生的导体损失，并会引起称为落粉的粗化粒子剥落的现象，因此期望减少电沉积于铜箔表面的粗化粒子。另一方面，若减少电沉积于铜箔表面的粗化粒子，则利用粗化粒子的投锚效应降低，无法充分获得铜箔与树脂基材的接着性。尤其是由液晶聚合物、低介电常数聚酰亚胺等低介电常数材料所形成的树脂基材较现有的树脂基材更难以与铜箔接着，因此要求提高铜箔与树脂基材之间的接着性的其他手段。

另外，硅烷化合物的表面处理层虽具有提高铜箔与树脂基材之间的接着性的效果，但根据其种类，也存在接着性的提高效果不可说是充分的情况。

本发明的实施形态是为了解决如上所述的问题而成的，其目的在于：提供一种能够提高与树脂基材、尤其是适用于高频用途的树脂基材的接着性的表面处理铜箔。

另外，本发明的实施形态的目的在于：提供一种树脂基材、尤其是适用于高频用途的树脂基材与表面处理铜箔之间的接着性优异的覆铜积层板。

[解决课题的技术手段]

本发明者为了解决如上述的问题，经过努力研究其结果，发现于通过TOF-SIMS对硅烷化合物的表面处理层进行测定时检测到峰的位置(质量数：m/z)关系到硅烷化合物的表面处理层与树脂基材之间的接着性，从而完成本发明的实施形态的表面处理铜箔及覆铜积层板。