[发明专利]使用存储器单元的逻辑运算在审
申请号: | 201980010699.0 | 申请日: | 2019-01-16 |
公开(公告)号: | CN111656448A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | T·A·曼宁;G·E·胡申 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/4093 | 分类号: | G11C11/4093;G11C11/4091;G11C7/06;G11C7/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 存储器 单元 逻辑运算 | ||
1.一种设备,其包括:
第一存储器单元,其被控制以反转其中存储的数据值;
第二存储器单元,其被控制以反转其中存储的数据值;和
控制器,其耦合到所述第一存储器单元和第二存储器单元,其中所述控制器被配置成在所述第一存储器单元中存储的所述数据值和所述第二存储器单元中存储的所述数据值之间进行逻辑运算。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元各自包括三晶体管3T动态随机存取存储器单元。
3.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括耦合到所述第一存储器单元的写入补码晶体管,所述写入补码晶体管可操作以经由耦合到所述第一存储器单元的数字线转移所述逻辑运算的结果的补码。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备,其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元垂直地定向并且设置在由耦合到所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的相应第一数字线和相应第二数字线限定的区域内。
5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备,其中所述逻辑运算包括NOR逻辑运算。
6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备,其中所述控制器进一步被配置成将所述逻辑运算的结果存储在耦合到所述第一存储器单元或所述第二存储器单元的感测放大器中。
7.一种设备,其包括:
存储器单元阵列;和
耦合到所述存储器单元阵列的控制器,所述控制器被配置成:
在所述存储器单元阵列的第一存储器单元中反转与逻辑运算的第一操作数相对应的第一电荷;
在所述存储器单元阵列的第二存储器单元中反转与所述逻辑运算的第二操作数相对应的第二电荷;和
在所述反转第一操作数和所述反转第二操作数之间进行逻辑运算。
8.根据权利要求7所述的设备,其中所述控制器进一步被配置成在不将所述第一操作数、所述第二操作数以及所述逻辑运算的结果转移出所述存储器阵列的情况下进行逻辑运算。
9.根据权利要求7到8中任一权利要求所述的设备,其中在进行所述逻辑运算之后,将所述反转第一逻辑操作数和所述第二反转逻辑操作数分别存储在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中。
10.根据权利要求7到8中任一权利要求所述的设备,其中所述第一存储器单元被配置成:
在进行写入操作之后,保留与所述第一操作数相对应的所述第一电荷;和
在进行所述写入操作之后,保留与所述第二操作数相对应的所述第二电荷。
11.根据权利要求7到8中任一权利要求所述的设备,其中所述第一存储器单元耦合到所述阵列的第一读取行线和第一写入行线,并且其中所述第二存储器单元耦合到所述阵列的第二读取行线和第二写入行线;并且其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元耦合到所述阵列的同一个读取数字线。
12.根据权利要求7到8中任一权利要求所述的设备,其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的至少一个设置在等于或小于由单晶体管单电容器1T1C存储器单元限定的区域的区域内。
13.一种设备,其包括:
多个三晶体管3T存储器单元,其耦合到相应写入数字线、读取数字线、读取行线和写入行线;和
控制器,其耦合到所述多个3T存储器单元,其中所述控制器被配置成:
反转第一3T存储器单元中存储的第一数据值;
反转第二3T存储器单元中存储的第二数据值;和
在所述第一反转数据值和所述第二反转数据值之间进行逻辑运算。
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