[发明专利]使用存储器单元的逻辑运算在审

专利信息
申请号: 201980010699.0 申请日: 2019-01-16
公开(公告)号: CN111656448A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: T·A·曼宁;G·E·胡申 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/4093 分类号: G11C11/4093;G11C11/4091;G11C7/06;G11C7/10
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 存储器 单元 逻辑运算
【说明书】:

本公开包含与使用存储器单元的逻辑运算有关的设备和方法。一种示范性设备包括:第一存储器单元,其被控制以反转其中存储的数据值;和第二存储器单元,其被控制以反转其中存储的数据值。所述设备可以进一步包含耦合到所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的控制器。所述控制器可以被配置成在所述第一存储器单元中存储的所述数据值和所述第二存储器单元中存储的所述数据值之间进行逻辑运算。

技术领域

本公开总体上涉及半导体存储器和方法,并且更特别地涉及与使用存储器单元的逻辑运算有关的设备和方法。

背景技术

存储器装置通常在计算系统中作为内部、半导体、集成电路提供。存在多种不同类型的存储器,包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维护其数据(例如,主机数据、错误数据等),并且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和晶闸管随机存取存储器(TRAM)等。非易失性存储器可以通过在不加电时保留所存储的数据来提供持久数据,并且可以包含NAND闪速存储器、NOR闪速存储器和电阻可变存储器,例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁阻式随机存取存储器(MRAM),例如自旋扭矩转移随机存取存储器(STT RAM)等。

计算系统通常包含多种处理资源(例如,一或多个处理器),其可以检索并执行指令并且将所执行的指令的结果存储到合适的位置。处理资源可以包括多个功能单元,例如算术逻辑单元(ALU)电路系统、浮点单元(FPU)电路系统和组合逻辑块,它们例如可以用于通过对数据(例如,一或多个操作数)进行逻辑运算(例如,AND、OR、NOT、NAND、NOR和XOR)以及反转逻辑运算而执行指令。例如,功能单元电路系统可以用于经由多个逻辑运算对操作数进行算术运算,例如加、减、乘和除。

在向功能单元电路系统提供指令以进行执行时,可能涉及计算系统中的多个组件。指令可以例如由处理资源(例如,控制器和/或主机处理器)执行。数据(例如,将对其执行指令的操作数)可以存储在功能单元电路系统可访问的存储器阵列中。指令和数据可以从存储器阵列检索并且在功能单元电路系统开始对数据执行指令之前进行排序和/或缓冲。此外,由于可以通过功能单元电路系统在一或多个时钟周期中执行不同类型的操作,因此指令和数据的中间结果也可以进行排序和/或缓冲。

在许多情况下,处理资源(例如,处理器和/或相关联的功能单元电路系统)可以在存储器阵列的外部,并且经由处理资源和存储器阵列之间的总线来访问数据以执行一组指令。可以在存储器中处理(PIM)装置中提高处理性能,其中可以在存储器内部和/或附近(例如,直接在与存储器阵列相同的芯片上)实施处理资源。PIM装置可以减少处理时间,并且还可以节省电力。各种存储器装置(例如,PIM装置)的阵列和/或子阵列之间和内部的数据移动可能会影响处理时间和/或电力消耗。

附图说明

图1是根据本公开的多个实施例的包含存储器装置的计算系统形式的设备的框图。

图2A是示出了根据本公开的多个实施例的存储器阵列的一部分的示意图。

图2B是示出了根据本公开的多个实施例的存储器阵列的一部分的另一示意图。

图3是示出了根据本公开的多个实施例的感测电路系统的示意图。

图4是示出了根据本公开的多个实施例的感测电路系统的示意图。

图5是示出了根据本公开的多个实施例的感测电路系统的另一示意图。

图6是根据本公开的多个实施例的使用存储器单元进行逻辑运算的流程图。

具体实施方式

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