[发明专利]锥形存储器单元轮廓

说明书

本申请涉及锥形存储器单元轮廓。描述了用于锥形存储器单元轮廓的方法、系统和装置。锥形轮廓存储器单元可以缓解相邻字线中的短路，这可以用于准确地读取存储器单元的存储值。存储器装置可以包含自选存储器部件，所述自选存储器部件具有底部表面和与底部表面相对的顶部表面。在一些情况下，自选存储器部件可以从底部表面到顶部表面渐缩。在其它示例中，自选存储器部件可以从顶部表面到底部表面渐缩。自选存储器部件的顶部表面可以耦合到顶部电极，并且自选存储器部件的底部表面可以耦合到底部电极。

交叉引用

本专利申请要求皮罗瓦诺(Pirovano)等人在2019年1月29日提交的题为“锥形存储器单元轮廓(Tapered Memory Cell Profiles)”的第PCT/US2019/015671号PCT申请的优先权，所述PCT申请要求皮罗瓦诺等人在2018年2月9日提交的题为“锥形存储器单元轮廓(Tapered Memory Cell Profiles)”的第15/893,106号美国专利申请的优先权，所述申请中的每个被转让给本受让人，并且通过引用全部明确地并入本文。

技术领域

本技术领域涉及锥形存储器单元轮廓。

背景技术

以下总体上涉及锥形存储器单元轮廓，并且更具体地涉及锥形自选存储器单元轮廓。

存储器装置被广泛地用于在诸如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等之类的各种电子装置中存储信息。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。例如，二进制装置具有通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两种状态。在其它系统中，可以存储两种以上的状态。为了存取存储的信息，电子装置的部件可以读取或感测存储器装置中的存储状态。为了存储信息，电子装置的部件可以在存储器装置中写入状态或对所述状态进行编程。

存在多种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、只读存储器(ROM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等等。存储器装置可以是易失性的或非易失性的。即使没有外部电源，非易失性存储器(例如，FeRAM)也可以长时间保持其存储的逻辑状态。易失性存储器装置(例如，DRAM)可能会随时间丢失其存储状态，除非它们由外部电源定期刷新。改善存储器装置可以包含提高存储器单元密度、提高读/写速度、提高可靠性、提高数据保留、降低功耗或降低制造成本等等指标。

一些类型的存储器装置可以使用单元上的电阻变化来对不同的逻辑状态进行编程和感测。例如，在自选存储器单元中，可以基于存储器单元内的电荷和/或离子和/或元件的分布来存储逻辑状态。

发明内容

描述了一种存储器装置。所述存储器装置可以包含：自选存储器部件，包括沿第一方向具有第一底部长度的底部表面和具有小于所述第一底部长度的第一顶部长度的顶部表面，沿第二方向，所述底部表面具有第二底部长度，并且所述顶部表面具有等于所述第二底部长度的第二顶部长度；顶部电极，与所述自选存储器部件的所述顶部表面耦合；以及底部电极，与所述自选存储器部件的所述底部表面耦合，并且经由所述自选存储器部件与所述顶部电极进行电子通信。

描述了一种存储器装置。所述存储器装置可以包含：自选存储器部件，沿第一方向延伸，所述自选存储器部件包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与沿所述第一方向延伸的字线耦合，并且所述第二表面与沿不同于所述第一方向的第二方向延伸的多条数字线耦合；第一电极，与所述自选存储器部件的所述第一表面耦合；以及第二电极，与所述自选存储器部件的所述第二表面耦合，并且经由所述自选存储器部件与所述第一电极进行电子通信，其中所述第一表面与所述第一电极接触的第一面积大于所述第二表面与所述第二电极接触的第二面积。