[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，是面朝下安装芯片尺寸封装型的半导体装置，具有晶体管元件以及多个第1电阻元件，所述晶体管元件具有第1电极、第2电极、以及对所述第1电极与所述第2电极之间的导通状态进行控制的控制电极，

所述多个第1电阻元件的一方的电极，均与所述第2电极电连接，

所述半导体装置具有一个以上的外部电阻端子、与所述第1电极电连接的外部第1端子、以及与所述控制电极电连接的外部控制端子，所述多个第1电阻元件的另一方的电极均与所述一个以上的外部电阻端子中的任一个接触连接，

所述一个以上的外部电阻端子、所述外部第1端子、以及所述外部控制端子，是被形成在所述半导体装置的表面的外部连接端子,

所述一个以上的外部电阻端子的数量比所述多个第1电阻元件的数量少，

所述一个以上的外部电阻端子包括与所述多个第1电阻元件之中的N个第1电阻元件的所述另一方的电极接触连接的第1外部电阻端子，其中N是2以上的整数，

在对所述半导体装置进行平面视时，所述第1外部电阻端子的形状是椭圆形，

在所述椭圆形的长度方向上，所述第1外部电阻端子的长度比所述另一方的电极与该第1外部电阻端子接触连接的所述N个第1电阻元件的长度之和更长。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述一个以上的外部电阻端子为多个，在对所述半导体装置进行平面视时，被配置在所述半导体装置的平面视面积的一半以上的区域。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

所述多个第1电阻元件的另一方的电极，均在所述半导体装置内彼此短路。

4.如权利要求1所述的半导体装置，

所述多个第1电阻元件的电阻值全部相同。

5.如权利要求1所述的半导体装置，

所述半导体装置具有外部第2端子，该外部第2端子与所述第2电极电连接，被形成在所述半导体装置的表面，

所述一个以上的外部电阻端子为多个，在对所述半导体装置进行平面视时，以所述外部第2端子为中心被配置成放射状。

6.如权利要求1所述的半导体装置，

所述半导体装置具有外部第2端子，该外部第2端子与所述第2电极电连接，被形成在所述半导体装置的表面，

所述多个第1电阻元件，在对所述半导体装置进行平面视时，以所述外部第2端子为中心被配置成放射状。

7.如权利要求1所述的半导体装置，

所述半导体装置具有：

外部第2端子，与所述第2电极电连接，被形成在所述半导体装置的表面；以及

第2电阻元件，被形成在所述外部第2端子与所述第1电极的电流路径内，

所述晶体管元件是纵向晶体管，具有由包含第1导电型的杂质的硅构成的半导体基板、以及在所述半导体基板的上表面接触形成的第1低浓度杂质层，该第1低浓度杂质层包含的所述第1导电型的杂质的浓度比所述半导体基板的所述第1导电型的杂质的浓度低，

所述半导体基板，作为所述第2电极来工作，

所述第2电阻元件，被埋入在所述第1低浓度杂质层的上表面的下方，

所述第2电阻元件的一方的电极，与所述第2电极电连接，

所述第2电阻元件的另一方的电极，与所述外部第2端子电连接。

8.如权利要求1所述的半导体装置，

所述晶体管元件是纵向晶体管，具有由包含第1导电型的杂质的硅构成的半导体基板、以及在所述半导体基板的上表面接触形成的第1低浓度杂质层，该第1低浓度杂质层包含的所述第1导电型的杂质的浓度比所述半导体基板的所述第1导电型的杂质的浓度低，

所述半导体基板，作为所述第2电极来工作，

所述半导体装置具有一个以上的第2电阻元件，所述第2电阻元件，被埋入在所述第1低浓度杂质层的上表面的下方，所述第2电阻元件的一方的电极与所述第2电极电连接，所述第2电阻元件的另一方的电极，与所述多个第1电阻元件中至少一个第1电阻元件的所述一方的电极电连接。