[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，

所述半导体装置具备：

第1晶体管，是纵向场效应晶体管；

第2晶体管，是纵向晶体管；以及

第1二极管，

所述第1晶体管具有：

第1导电型的漂移层，被形成在半导体基板上；

第2导电型的第1体层，被形成在所述漂移层的表面，所述第2导电型与所述第1导电型不同；

所述第1导电型的第1源极层，被形成在所述第1体层的表面；

第1源极电极，与所述第1源极层电连接；

多个第1沟部，在与所述半导体基板的上表面平行的第1方向上延伸，并且有选择地形成，所述多个第1沟部的深度为从所述漂移层的上表面贯通所述第1体层到达所述漂移层的一部分为止；

第1栅极绝缘膜，以覆盖所述第1沟部的表面的至少一部分的方式形成；

第1栅极导体，被形成在所述第1栅极绝缘膜上；以及

第1连接部，将所述第1体层与所述第1源极电极电连接，

所述第2晶体管具有：

所述第2导电型的第2体层，被形成在所述漂移层的表面；

所述第1导电型的第2源极层，被形成在所述第2体层的表面，与所述第1源极电极电连接；以及

第2连接部，将所述第2体层与所述第1源极电极电连接，

所述第1二极管，在所述第1源极电极与所述第1栅极导体之间电连接，

第2阻抗比第1阻抗大，所述第2阻抗是在所述第2连接部以及所述第2体层的路径中，从所述第1源极电极到所述第2体层中阻抗成为最大的位置为止的阻抗，所述第1阻抗是在所述第1连接部以及所述第1体层的路径中，从所述第1源极电极到所述第1体层中阻抗成为最大的位置为止的阻抗。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第1源极层与所述第1连接部，沿着所述第1方向交替地重复配置，

所述第2源极层与所述第2连接部，沿着所述第1方向交替地重复配置。

3.如权利要求2所述的半导体装置，

在所述第1方向上，所述第2源极层的长度比所述第1源极层的长度长。

4.如权利要求2所述的半导体装置，

在所述第1方向上，所述第2源极层的长度是所述第2连接部的长度的24倍以上。

5.如权利要求2所述的半导体装置，

在所述第1方向上，所述第1源极层的长度是所述第1连接部的长度的6倍以下。

6.如权利要求1所述的半导体装置，

在相邻的所述第1沟部之间，沿着与所述第1方向正交的第2方向，配置有多个所述第1源极层，

所述第1连接部，在所述第1方向上延伸，被配置在相邻的所述第1沟部之间的相邻的所述第1源极层之间，

所述第2连接部，沿着所述第1方向周期性地配置有多个。

7.如权利要求6所述的半导体装置，

在所述第1方向上，相邻的所述第2连接部的间隔为所述第2连接部的长度的24倍以上。

8.如权利要求2或6所述的半导体装置，

所述第2晶体管是场效应晶体管，

所述第2晶体管还具有：

多个第2沟部，在所述第1方向上延伸，并且有选择地形成，所述多个第2沟部的深度为从所述漂移层的上表面贯通所述第2体层到达所述漂移层的一部分为止；

第2栅极绝缘膜，以覆盖所述第2沟部的表面的至少一部分的方式形成；以及

第2栅极导体，被形成在所述第2栅极绝缘膜上，与所述第1源极电极电连接。

9.如权利要求2或6所述的半导体装置，

所述第2晶体管是双极晶体管，

所述第2晶体管还具有：

多个第2沟部，在所述第1方向上延伸，并且有选择地形成，所述多个第2沟部的深度为从所述漂移层的上表面贯通所述第2体层到达所述漂移层的一部分为止，

至少所述第1体层和所述第2体层绝缘分离。