[发明专利]试样支撑体、电离法以及质量分析方法在审

专利信息
申请号: 201980011586.2 申请日: 2019-01-16
公开(公告)号: CN111684275A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 小谷政弘;大村孝幸 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: G01N27/62 分类号: G01N27/62;G01N27/64;H01J49/04;H01J49/16
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;尹明花
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 试样 支撑 电离 以及 质量 分析 方法
【权利要求书】:

1.一种试样支撑体,其中,

该试样支撑体是用于电离试样的试样支撑体,

其具备:

基板,其具有彼此相对的第一表面和第二表面;以及

导电层,其至少设置于所述第一表面,

在所述基板中的用于使所述试样的成分电离的实效区域,形成有在所述第一表面和所述第二表面开口的多个贯通孔,

在所述多个贯通孔的各个中,所述第二表面侧的第二开口部的宽度比所述第一表面侧的第一开口部的宽度大。

2.根据权利要求1所述的试样支撑体,其中,

从所述第一表面和所述第二表面彼此相对的方向观察时,在所述多个贯通孔的各个中,所述第二开口部的外缘位于所述第一开口部的外缘的外侧。

3.根据权利要求1或2所述的试样支撑体,其中,

所述多个贯通孔分别具有所述第一开口部侧的第一部分和所述第二开口部侧的第二部分,

所述第二部分呈朝向所述第二开口部侧变宽的漏斗状的形状。

4.根据权利要求1或2所述的试样支撑体,其中,

所述多个贯通孔分别呈朝向所述第二开口部侧变宽的圆锥台状的形状。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的试样支撑体,其中,

在所述多个贯通孔的各个中,宽度的最小值为1nm,宽度的最大值为700nm。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的试样支撑体,其中,

所述基板是通过对阀金属或者硅进行阳极氧化而形成的。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的试样支撑体,其中,

所述导电层由铂或者金形成。

8.一种电离法,其中,

具备:

第一工序,准备权利要求1~7中任一项所述的试样支撑体;

第二工序,将所述试样载置于载置部的载置面,并且以所述第二表面面对所述试样的方式将所述试样支撑体载置于所述载置面;以及

第三工序,通过一边对所述导电层施加电压一边对所述第一表面照射能量射线,从而将经由所述多个贯通孔而移动至所述第一表面侧的所述试样的成分电离。

9.一种质量分析方法,其中,

具备:

权利要求8所述的电离法的所述第一工序、所述第二工序及所述第三工序;以及

第四工序,检测在所述第三工序中已电离的所述成分。

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