[发明专利]用于选择性预清洁的快速响应基座组件有效
申请号: | 201980011975.5 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN111684580B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 劳拉·哈夫雷查克;柴塔尼亚·A·普拉萨德 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 选择性 清洁 快速 响应 基座 组件 | ||
1.一种基板支撑基座组件,包括:
轴;
基板支撑基座,所述基板支撑基座耦接至所述轴,所述基板支撑基座包括铝基板支撑板,所述铝基板支撑板包括:
穿过所述铝基板支撑板设置的垂直通路;和
以陶瓷材料涂布的顶表面;
多个同心气体分配通道;和
多个径向分配通道,其中所述多个同心气体分配通道耦接至所述多个径向分配通道,以使从所述垂直通路中流出的气体从中流过,并且其中所述陶瓷材料设置在所述多个同心气体分配通道和所述多个径向分配通道上方。
2.如权利要求1所述的基板支撑基座组件,其中所述陶瓷材料为氧化铝。
3.如权利要求1所述的基板支撑基座组件,其中所述基板支撑板的侧面并未以所述陶瓷材料涂布。
4.如权利要求1所述的基板支撑基座组件,其中所述基板支撑基座进一步包括:
气体分配板,所述气体分配板焊接至所述基板支撑板的底表面,所述气体分配板包括与真空吸附通路对齐的多个通路,所述真空吸附通路从所述底表面通过所述基板支撑板至所述顶表面。
5.如权利要求4所述的基板支撑基座组件,其中所述基板支撑基座进一步包括:
底板,所述底板焊接至所述气体分配板的底部,所述底板具有形成于其中的多个冷却通道,用于接收通过所述轴而输送的冷却剂流体。
6.如权利要求5所述的基板支撑基座组件,其中所述基板支撑基座进一步包括:
盖板,所述盖板耦接至所述底板,且将形成于所述底板中的所述冷却通道密封。
7.如权利要求5所述的基板支撑基座组件,其中所述气体分配板和所述底板由铝制成。
8.如权利要求4所述的基板支撑基座组件,其中在所述基板支撑基座中存在额外气体分配板,以向所述基板支撑基座的边缘提供净化流。
9.一种适于从基板的表面移除污染物的处理腔室,包括:
腔室主体;
盖组件,所述盖组件设置于所述腔室主体上;和
基板支撑基座组件,所述基板支撑基座组件至少部分地设置于所述腔室主体内,其中所述基座组件包括在处理期间将基板支撑于其上的基板支撑基座,所述基板支撑基座包括:
轴;和
铝基板支撑板,所述铝基板支撑板机械耦接至所述轴并且包括:
穿过所述铝基板支撑板设置的垂直通路;和
以陶瓷材料涂布的顶表面;
多个同心气体分配通道;和
多个径向分配通道,其中所述多个同心气体分配通道耦接至所述多个径向分配通道,以使从所述垂直通路中流出的气体从中流过,并且其中所述陶瓷材料设置在所述多个同心气体分配通道和所述多个径向分配通道上方。
10.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述陶瓷材料为氧化铝。
11.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述基板支撑板的侧面并未以所述陶瓷材料涂布。
12.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述基板支撑基座进一步包括:
气体分配板,所述气体分配板焊接至所述基板支撑板的底表面,所述气体分配板包括与真空吸附通路对齐的多个通路,所述真空吸附通路从所述底表面通过所述基板支撑板至所述顶表面。
13.如权利要求12所述的处理腔室,其中所述基板支撑基座进一步包括:
底板,所述底板焊接至所述气体分配板的底部,所述底板具有形成于其中的多个冷却通道,用于接收通过所述轴而输送的冷却剂流体。
14.如权利要求13所述的处理腔室,其中所述基板支撑基座进一步包括:
盖板,所述盖板耦接至所述底板,且将形成于所述底板中的所述冷却通道密封。
15.如权利要求12所述的处理腔室,其中在所述基板支撑基座中存在额外气体分配板,以向所述基板支撑基座的边缘提供净化流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980011975.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:冷却水控制阀装置
- 下一篇:高强度热轧或冷轧并退火的钢及其生产方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造