[发明专利]用于选择性预清洁的快速响应基座组件

说明书

本公开内容的实施方式大体涉及一种改良的基板支撑基座组件。在一个实施方式中，基板支撑基座组件包括轴。基板支撑基座组件进一步包括基板支撑基座，所述基板支撑基座机械耦接至轴。基板支撑基座包括基板支撑板，所述基板支撑板以陶瓷材料涂布于顶表面。

技术领域

本公开内容的实施方式大体涉及在预清洁腔室中使用的基座(pedestal)。

背景技术

集成电路形成于硅和其他半导体基板中以及形成于硅和其他半导体基板上。在单晶硅的情况中，基板藉由从熔融硅浴中生长出锭块(ingot)，且接着将固化的锭块锯切成多个基板而制成。外延硅层可接着形成于单晶硅基板上，以形成可为掺杂或未掺杂的不含缺陷的硅层。诸如晶体管之类的半导体装置可由外延硅层制造。所形成的外延硅层的电气特性通常比单晶硅基板的特性更佳。

当暴露于典型的基板制造设备周围条件时，单晶硅和外延硅层的表面易受污染影响。举例而言，归因于在基板处理设备中基板的处置和/或暴露于周围环境，在沉积外延层之前可能在单晶硅表面上形成原生氧化层。此外，在周围环境中诸如碳和氧之类的外来污染物可沉积在单晶表面上。在单晶硅表面上存在的原生氧化层或污染物不利地影响后续形成于单晶表面上的外延层的品质。因此，意图对基板预清洁，以便在基板上生长外延层之前移除表面氧化物和其他污染物。

传统的预清洁处理通常在具有基板支撑基座的独立真空处理腔室中执行。在其上支撑基板的基座的顶板由陶瓷制成，以避免由基板与金属表面接触所造成的金属污染。因为陶瓷板为热的不良导体，所以与基板接触的基座的顶部表面的温度控制是困难的，且稳定基板温度所需的时间可极其长，这可能不期望地增加基板处理时间，并增加处理基板的费用。此外，某些处理将在两个或更多个温度之间循环基板温度，且此稳定时间的影响可能会重复多次。

因此，本领域中需要用于在预清洁腔室中使用的改良的基板支撑基座。

发明内容

本文描述一种基板支撑基座组件。在一个实施方式中，基板支撑基座组件包括轴(shaft)和耦接至轴的基板支撑基座。基板支撑基座包括铝基板支撑板，铝基板支撑板具有以陶瓷材料涂布的顶表面。基板支撑基座组件亦可包括背侧气体通道，这些背侧气体通道可用于进一步改善基板支撑基座的顶表面与基板之间的耦接。

本文描述一种适于从基板的表面移除污染物的处理腔室。在一个实施方式中，处理腔室包括腔室主体、设置于腔室主体上的盖组件、和至少部分地设置于腔室主体内的基板支撑基座组件。基板支撑基座组件包括轴和耦接至轴的基板支撑基座。基板支撑基座包括铝基板支撑板，铝基板支撑板具有以陶瓷材料涂布的顶表面。基板支撑基座组件亦可包括背侧气体通道，这些背侧气体通道可用于进一步改善基板支撑基座的顶表面与基板之间的耦接。

本文描述一种基板支撑基座组件。在一个实施方式中，基板支撑基座组件包括铝基板支撑板，铝基板支撑板具有以陶瓷材料涂布的顶表面、和底表面。基板支撑板包括具有第一直径的第一子板、和焊接至第一子板的底表面的第二子板。第二子板具有大于第一直径的第二直径，以便外绕第二子板的周边形成唇部。基板支撑板包括多个真空通路，此多个真空通路延伸通过基板支撑板，且从基板支撑板的顶表面和底表面上离开。

基板支撑板进一步包括气体分配板，所述气体分配板焊接至基板支撑板的底表面，气体分配板包括与真空吸附通路(vacuum chucking passage)对齐的多个通路，这些真空吸附通路从基板支撑板的底表面至顶表面穿过基板支撑板。气体分配板进一步包括与基板支撑板的真空通路对齐的多个气体通路。

基板支撑板进一步包括底板，所述底板焊接至气体分配板的底表面。底板包括具有第一直径的第一子板、和焊接至第一子板的底表面的第二子板。第二子板具有大于第一直径的第二直径，以便围绕第二子板的周边形成唇部。底板具有形成于其中的多个冷却通道，用于接收通过轴而输送的冷却剂流体。

基板支撑板进一步包括盖板(cap plate)，所述盖板耦接至底板，且将形成于底板中的冷却通道密封。

附图说明