[发明专利]包封用树脂组合物、层压片材、固化产物、半导体装置以及用于制作半导体装置的方法

说明书

提供了一种如下的包封用树脂组合物：即使将包封用树脂组合物加热并且对其进行超声振动以将在基底构件和接合到基底构件上的半导体芯片之间的间隙气密密封，该包封用树脂组合物也能够减少留在基底构件和接合到基底构件上的半导体芯片之间的间隙中的残留孔隙的数量。包封用树脂组合物用于将在基底构件2和接合到基底构件2上的半导体芯片3之间的间隙气密密封。包封用树脂组合物的反应开始温度为160℃以下。包封用树脂组合物的熔体粘度在反应开始温度为200Pa·s以下，在等于或高于比反应开始温度低40℃的温度并且等于或低于反应开始温度的任意温度为400Pa·s以下，以及在比反应开始温度低50℃的温度为1,000Pa·s以下。

技术领域

本发明总体上涉及包封用树脂组合物、层压片材、固化产物、半导体装置以及用于制作半导体装置的方法。更具体地，本发明涉及适用于将在基底构件(base member)和半导体芯片之间的间隙气密密封的包封用树脂组合物、层压片材、该包封用树脂组合物的固化产物、包括由该固化产物制成的包封构件的半导体装置和用于制作包括该包封构件的半导体装置的方法。

背景技术

作为使用预施加过程的底部填充技术，不仅已知的是一种使用在常温呈液相的树脂组合物的技术(其被称为“非导电糊剂过程(non-conductive paste process)”，并且也被称为“NCP过程”)，而且还已知的是一种使用树脂组合物的片材的技术(其被称为“非导电膜过程(non-conductive film process)”，并且也被称为“NCF过程”)(参见例如专利文献1)。

当如专利文献1中所公开通过将半导体芯片接合到衬底上来制作半导体装置时，可以将树脂组合物的片材堆叠在半导体芯片上，然后利用接合头(bonding head)拾取半导体芯片并且在这样的状态下将其安装到衬底上。在此状态下加热接合头也使树脂组合物和凸起电极被加热。这使得凸起电极的焊料熔化，从而将凸起电极连接至衬底的导体线路并且也将树脂组合物固化而制成包封构件。

引用清单

专利文献

专利文献1：JP 2011-140617 A

发明概述

本发明的一个目的是提供一种这样的包封用树脂组合物：即使通过加热放置在基底构件和半导体芯片之间的间隙中的包封用树脂组合物并且对该包封用树脂组合物进行超声振动来形成包封构件，该包封用树脂组合物也能够减少留在包封构件中的残留孔隙的数量。

本发明的另一个目的是提供由该包封用树脂组合物制成的层压片材、该包封用树脂组合物的固化产物、包括由该固化产物制成的包封构件的半导体装置和用于制作这样的半导体装置的方法。

根据本发明的一个方面的包封用树脂组合物用于将在基底构件与接合到基底构件上的半导体芯片之间的间隙气密密封。包封用树脂组合物的反应开始温度为160℃以下。包封用树脂组合物在反应开始温度的熔体粘度为200Pa·s以下，在等于或高于比反应开始温度低40℃的温度并且等于或低于反应开始温度的任意温度的熔体粘度为400Pa·s以下，以及在比反应开始温度低50℃的温度的熔体粘度为1,000Pa·s以下。

根据本发明的另一个方面的层压片材包括：具有片形形状的包封用树脂组合物；和用于将包封用树脂组合物支撑于其上的支撑片。

根据本发明的再一个方面的固化产物通过将上述包封用树脂组合物热固化而得到。

根据本发明的又一个方面的半导体装置包括：基底构件；面朝下接合到基底构件上的半导体芯片；和将在基底构件和半导体芯片之间的间隙气密密封的包封构件。该包封构件由上述固化产物制成。