[发明专利]基片固持设备和形状度量方法在审
申请号: | 201980012400.5 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN111699548A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 姜浩英;安东·德维利耶 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基片固持 设备 形状 度量 方法 | ||
1.一种用于固持基片的设备,该设备包括:
容器,该容器配置用于容纳液体,该容器限定顶部开口,使得当该容器容纳该液体时,该液体的顶表面可用于在该液体的顶表面上放置基片并且从该液体的顶表面移除基片;
基片移送机构,该基片移送机构配置成将基片放置在该液体的顶表面上并且从该液体的顶表面移除该基片;
基片固持机构,该基片固持机构配置成当该基片搁置在该液体的顶表面上时防止该基片移动。
2.如权利要求1所述的设备,进一步包括膜,该膜定位在该液体的顶表面上,该膜将该基片与该液体隔开,使得该基片移送机构配置成将该基片放置在该膜上并且从该膜移除该基片。
3.如权利要求2所述的设备,其中,该膜配置成具有足够的柔韧性以允许该基片部分地沉入该液体中。
4.如权利要求3所述的设备,其中,该膜足够柔韧,以允许该液体的顶表面和该基片的顶表面彼此齐平。
5.如权利要求1所述的设备,其中,该液体被选择成该液体具有与该基片的比重相匹配的比重。
6.如权利要求1所述的设备,其中,该基片固持机构包括真空吸盘,该真空吸盘配置成在该基片搁置在该液体上时附接至该基片的底表面。
7.如权利要求6所述的设备,其中,该真空吸盘接触到的该基片的表面面积小于该液体接触到的该基片表面面积的百分之十。
8.如权利要求1所述的设备,其中,该基片固持机构包括周界支撑件,在该基片搁置在该液体上时,该周界支撑件在该基片的外围处与该基片接触并且防止该基片在该液体上横向移动。
9.如权利要求1所述的设备,进一步包括测量装置,该测量装置配置成在该基片被固持在该液体的顶表面上时,测量该基片的前侧表面的形状,其中该基片的背侧表面与该前侧表面相反。
10.一种用于固持基片的设备,包括:
容器,该容器配置用于容纳液体,该容器限定顶部开口,使得当该容器容纳该液体时,该液体的顶表面可用于放置基片并且移除基片;
膜,该膜定位在该容器中并且配置成当该容器容纳该液体时与该液体接触;以及
基片移送机构,该基片移送机构配置成将该基片放置在该膜上并从该膜移除该基片,该膜足够柔韧以允许该基片至少部分地沉入该液体中;
基片固持机构,该基片固持机构配置成当该基片搁置在该膜上并且被该液体支撑时,防止该基片移动。
11.如权利要求10所述的设备,其中,该液体被选择成使该液体具有等于或大于该基片比重的比重。
12.如权利要求11所述的设备,其中,该基片固持机构包括真空吸盘,该真空吸盘配置成在该基片搁置在该液体上时附接至该基片的底表面。
13.如权利要求11所述的设备,其中,该基片固持机构包括周界支撑件,在该基片搁置在该膜上时,该周界支撑件在该基片的外围处与该基片接触并且防止该基片在该膜上的横向移动。
14.如权利要求10所述的设备,进一步包括测量装置,该测量装置配置成在该基片被固持在该膜上时,测量该基片的前侧表面的曲率。
15.如权利要求10所述的设备,进一步包括测量装置,该测量装置配置成在该基片被固持在该膜上时,测量该基片的表面上的坐标位置处的z高度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980012400.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用高压退火的接缝弥合
- 下一篇:底漆引发的结构性粘合剂膜固化
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造